Toshiba 2SK2662 N-Kanal MOSFET, 500V, 5A, 1.35 Ohm, TO-220FP Kapsling

Teknisk beskrivelse af produktet (2SK2662):

Drain-Source-spænding Vds(max): 500V. Drain-Source-lækstrøm Idss(max): 100uA. Kontinuerlig Drain-strøm Id (T=25°C): 5A. On-State-modstand Rds(On): 1.35 Ohm. Kapsling (ifølge datablad): TO-220FP. Kapsling: TO-220FP. RoHS-kompatibel: Ja. Antal ben: 3. Monteringstype: Gennemhulsmontage. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: High Speed Switching, Zener-Protected. Teknologi: Felteffekttransistor (TT-MOS V). Gate-Source-beskyttelse: Ja. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 60 ns. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 25 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende Drain-strøm Id(imp): 20A. Kapselmarkering: K2662. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) min.: 2V. Indgangskapacitet C(in): 780pF. Udgangskapacitet C(out): 200pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 1400 ns. Maksimal effektafledning: 35W. Drain-Source-beskyttelse: Diode. Gate-Source-spænding Vgs: 30V. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) max.: 4V. Temperatur: +150°C.