Transistorer

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: til Hi-fi-lydforstærkere og switching-regulatorer. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial-Base . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 8V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE3055T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial-Base . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE2955T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-32. Hus (JEDEC-standard): TO-126. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE340. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 300V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE350. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Omkostninger): 30pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L, VID.. Kollektorstrøm: 0.5A. Ækvivalenter: KSE340. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20.8W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126 ( TO-225 ). Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE350. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 30pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 0.5A. bemærk: plastikhus. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20.8W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-225. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 300V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE350. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE340G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE350. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W. Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Spænding VCEO: -300V. Kollektorstrøm: -0.5A. Effekt: 20.8W. Hus: TO-126. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 300V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE340. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C (i): 7pF. Omkostninger): 110pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 0.5A. Ækvivalenter: KSE350. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20.8W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-225. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE340. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 30pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 0.5A. bemærk: plastikhus. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20.8W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-225. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 300V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE340. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Producentens mærkning: MJE350G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W. Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Spænding VCEO: -300V. Kollektorstrøm: -0.5A. Effekt: 20W. Hus: TO-126. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

BE-modstand: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Konditioneringsenhed: 50. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 50. Kollektorstrøm: 8A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (min): 2us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 400V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Type: Darlington transistor. Collector-Emitter Spænding VCEO: 400V. Kollektorstrøm: 8A. Effekt: 100W. Hus: TO-220

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: PNP. vcbo: 450V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE5852G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 400V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 80W. Komponentfamilie: højspændings PNP transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Type: Darlington transistor. Collector-Emitter Spænding VCEO: -80V. Kollektorstrøm: -4A. Effekt: 40W. Hus: TO-126

Omkostninger): 1000pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 1000pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE800G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE803. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Type transistor: Power transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 1000V. Kollektorstrøm: 5A. Effekt: 35W. Hus: TO-220-F

Omkostninger): 80pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: (F). Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

BE-modstand: 50. Omkostninger): 156pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 13 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 18. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 175 ns. tf (min): 110 ns. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. vcbo: 1200V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.83V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Vebo: 10V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Omkostninger): 1.7pF. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: hFE 45(min). Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 45. Kollektorstrøm: 15A. Ic (puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 260V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJL3281A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 2.3pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: NF-L, TO-264. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 170W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 650V. Spec info: TO-3PBL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Max hFE-forstærkning: 75. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 16A. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO–3PBL. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 400V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJL21194. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS