Transistorer

Omkostninger): 5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: UNI. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 0.6A. Mærkning på kabinettet: 1 P. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 75V. Spec info: SMD 1P. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1P. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1S. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 15V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2F. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Omkostninger): 1.6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 0.6A. Ic (puls): 1.2A. Mærkning på kabinettet: 2F. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 225mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1AM. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning (SMD) . C (i): SOT-23. Omkostninger): 1.6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: UNI. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 0.2A. Mærkning på kabinettet: 1AM. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Spec info: SMD 1AM. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor. Mærkning på kabinettet: 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 225mW. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . tf (maks.): 75 ns. tf (min): 35 ns. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 2A

Omkostninger): 80pF. Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: Skiftende transistor. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 0.6A. Ic (puls): 0.9A. Mærkning på kabinettet: 2x. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . tf (maks.): 30 ns. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafi/CMS-kode 2X. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2T. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 0.6A. Mærkning på kabinettet: 2T. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . tf (maks.): 30 ns. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2L. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 150V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.250W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor. Mærkning på kabinettet: 2 L. Ækvivalenter: MMBT5401LT1G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode (2Lx datokode)

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2L. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 150V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 60. Kollektorstrøm: 0.6A. Mærkning på kabinettet: G1. Ækvivalenter: MMBT5551LT1G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafi/SMD-kode G1 (3S Fairchild). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: G1. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 160V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1GM. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1GM. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 0.5A. bemærk: 1D. Mærkning på kabinettet: 1D. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 240mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) MMBTA92. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1D. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2GM. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.250W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2GM. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Omkostninger): 170pF. Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 0.5A. bemærk: 2D. Mærkning på kabinettet: 2D. Ækvivalenter: PMBTA92.215. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MMBTA42. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2D. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.250W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2D. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 3EM. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 650 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor