Transistorer

C (i): 702pF. Omkostninger): 357pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 256ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 1uA. Mærkning på kabinettet: 50R380. Pd (Strømafledning, maks.) ): 83W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 59.6ns. Td(on): 15.2ns. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: Lavt strømtab ved højhastighedskobling og lav tænd-modstand. Funktion: PFC-strømforsyningstrin, switching-applikationer, motorstyring, DC-DC-konverter. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 890pF. Omkostninger): 670pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 375 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PFC-strømforsyningstrin, switching-applikationer, motorstyring, DC/DC-konvertere. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 1uA. Mærkning på kabinettet: 60R360P. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 31W. On-resistance Rds On: 0.32 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 80 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: N-channel POWER MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236AB. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: JD. Drain-source spænding Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 1.6V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 16 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 60pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.36W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236AB. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Drain-source spænding Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 3 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 7 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 45pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Omkostninger): 9pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 350. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 1.5A. Mærkning på kabinettet: Y1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A6A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.24W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A6E. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.24W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A8A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A8E. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A8K. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.246W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: par komplementære transistorer. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218. Type transistor: PNP & NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MPSA42. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MPSA92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

BE-modstand: 10. Omkostninger): 300pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 100MHz. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 500mA. Ic (puls): 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MPSA06. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 10000. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Kollektorstrøm: 0.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Teknologi: Darlington transistor. tf (min): 125 MHz. Type transistor: NPN. vcbo: 30 v. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Vebo: 10V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 125 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 10000. Kollektorstrøm: 500mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Darlington transistor. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 45V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-92

Omkostninger): 3pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 0.5A. Ækvivalenter: KSP42. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 (ammo pak). Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 500mV. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 6V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) MPSA92. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 7pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Max hFE-forstærkning: 50. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 0.3A. Ækvivalenter: KSP44, CMPSA44. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 (ammo pak). Type transistor: NPN. vcbo: 500V. Mætningsspænding VCE (sat): 400mV. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 750mV. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Vebo: 6V. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 0.5A. Ic (puls): 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92AMMO. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) MPSA06. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MPSA56. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 125 MHz. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Kollektorstrøm: 0.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: Højspændingstransistor. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 0.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 2000. Spec info: komplementær transistor (par) MPSA42. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MPSH10. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 650 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor