Transistorer

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Kollektorstrøm: 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SANYO--PCP. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Spec info: serigrafi/SMD kode DK, hFE 120...200

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 180. Kollektorstrøm: 5A. Id(imp): 8A. Mærkning på kabinettet: DK. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SANYO--PCP. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Spec info: serigrafi/SMD kode DK

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 3.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Kollektorstrøm: 5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Kollektorstrøm: 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V

Konditioneringsenhed: 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: bipolær transistor. Max hFE-forstærkning: 270. Minimum hFE-forstærkning: 120. Kollektorstrøm: 1A. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: DAQ. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan type . Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: +55...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode DAQ

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 7A. Id(imp): 12A. bemærk: komplementær transistor (par) 2SB1135. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220ML. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 6V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 12A. Id(imp): 15A. bemærk: komplementær transistor (par) 2SB1136. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220ML. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 6V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-E-L. Kollektorstrøm: 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: NF/E (F). Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1186A

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: isoleret pakke transistor. Kollektorstrøm: 2A. bemærk: >1000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. CE-diode: ja

Omkostninger): 25pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Højstrømsskift. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 35. Kollektorstrøm: 3A. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SMD. Hus (i henhold til datablad): D-PAK TO-252. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1202. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 35. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksiale plane siliciumtransistorer . tf (maks.): 20 ns. tf (min): 20 ns. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1204

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Max hFE-forstærkning: 5000. Minimum hFE-forstærkning: 2000. Kollektorstrøm: 4A. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220ML. Type transistor: NPN. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Spec info: Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Farve-tv Horisontal afbøjning Output Amp.. Max hFE-forstærkning: 10. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 6V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Lavfrekvent effektforstærker. Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1274

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: isoleret pakke transistor. Minimum hFE-forstærkning: 3000. Kollektorstrøm: 4A. bemærk: =3000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1342

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: M31/C. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1500V/650V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. Producentens mærkning: silicium . Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): 1500V. driftstemperaturområde maks (°C): 650V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1400V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 650V. Funktion: S-L TV/HA(F)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat DC/DC. Max hFE-forstærkning: 350. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 0.5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Kollektorstrøm: 2.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V

Omkostninger): 35pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 3A. Mærkning på kabinettet: D2012. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon NPN Triple Diffused Type. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): 2-10R1A. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS