Transistorer

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220FP. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V/60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 30W. Producentens mærkning: silicium . Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3A. driftstemperaturområde min (°C): 30W. driftstemperaturområde maks (°C): Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CTV-HA. Kollektorstrøm: 3.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: Io-sat. Kollektorstrøm: 3A. bemærk: >500. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Kollektorstrøm: 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Optimal til 120W Hi-Fi-output. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 3500. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffusion planar type darlington . tf (maks.): 1.2us. tf (min): 1.2us. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TOP-3L. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 5V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: TV-HA. Kollektorstrøm: 0.3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3FP. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Spec info: IBp=2A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50MHz. Funktion: Effektforstærkning med høj fremadgående strøm. Max hFE-forstærkning: 1000. Minimum hFE-forstærkning: 500. Kollektorstrøm: 3A. Ic (puls): 6A. Temperatur: +150°C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: 2.37k Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Kollektorstrøm: 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P ( MT-100 ). Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1560. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 210 MHz. Funktion: S Io-sat. Kollektorstrøm: 2A. bemærk: serigrafi/SMD-kode DT. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1561

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 3A. Ic (puls): 6A. Mærkning på kabinettet: D2394. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 7V

Omkostninger): 55pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 40 MHz. Max hFE-forstærkning: 2000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Kollektorstrøm: 3A. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 5000. Kollektorstrøm: 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1588. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1588. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Kollektorstrøm: 6A. bemærk: >5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1625

BE-modstand: 40 Ohms. Omkostninger): 95pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 6A. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.6us. tf (min): 0.3us. Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Vebo: 5V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

BE-modstand: 40 Ohms. Omkostninger): 95pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 6A. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.6us. tf (min): 0.3us. Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CRT-HA Hi-r. Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. bemærk: Vce(sat)=5V

Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 3A. Effekt: 1.5W. Hus: MT-3-A1

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: TO-220. Max hFE-forstærkning: 12000. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Kollektorstrøm: 6A. Mærkning på kabinettet: D2589. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1.1us. tf (min): 1.1us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 110V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1659

Modstand B: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-220AB. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Funktion: 2A. Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Hus: TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Max hFE-forstærkning: 8:1. Minimum hFE-forstærkning: 3. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1us. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 22W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V