Transistorer

Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: P-FET S. ID (T=25°C): 6mA. Idss (maks.): 6mA. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18

Omkostninger): 4pF. Konditioneringsenhed: 2000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 4.5V. Funktion: HI-FI støjsvag forforstærker. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N5401. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 160V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

C (i): 75pF. Omkostninger): 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 1A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Type transistor: PNP. vcbo: 200V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Vebo: 4 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C (i): 75pF. Omkostninger): 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: High Speed ​​​​Switching og Lineær forstærker. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 350V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C (i): 4.5pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: JFET. Funktion: Uni sym. Idss (maks.): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: generel JFET-transistor. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 25V. Gate / kilde spænding Vgs: 3.5V. Port/kildespænding (fra) max.: 7V. Port/kildespænding (fra) min.: 1V. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 2250pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 53 ns. Type transistor: FET. Funktion: Uni sym. Idss (maks.): 16mA. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 4mA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: generel JFET-transistor. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 25V. Gate / kilde spænding Vgs: 4.5V. Port/kildespænding (fra) max.: 8V. Port/kildespænding (fra) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 5pF. Omkostninger): 2pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: JFET. Idss (maks.): 5mA. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: J-FET. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Spænding Vds (maks.): 25V. Vgs (th) min.: 3V. Funktion: VHF/UHF, RF forstærker

RoHS: ja . Hus: TO-92. Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-92. Omkostninger): 6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 80. Kollektorstrøm: 0.6A. Ic (puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 5551. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 160V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 25A. Ic (puls): 50A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. tf (min): 0.8us. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2N5886

Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 25A. Ic (puls): 50A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. tf (min): 0.8us. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2N5884. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N5886G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: PUT.. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Driftstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmerbar Unijunction Transistor

RoHS: ja . Komponentfamilie: Bipolær transistor, enkelt lag (PUT). Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N6027G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 150mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -50°C. driftstemperaturområde maks (°C): +100°C

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: PUT.. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Driftstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmerbar Unijunction Transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: PUT.. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Driftstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmerbar Unijunction Transistor

RoHS: ja . Komponentfamilie: Bipolær transistor, enkelt lag (PUT). Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N6028G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 150mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -50°C. driftstemperaturområde maks (°C): +100°C

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Minimum hFE-forstærkning: 750. Kollektorstrøm: 12A. bemærk: b>750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 175 MHz. Funktion: VHF-O Tr. Kollektorstrøm: 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12W. Hus (i henhold til datablad): M135. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 36V. Spec info: SD1012. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Kollektorstrøm: 7A. bemærk: hFE 20. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Spec info: TO-220AB

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Kollektorstrøm: 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. Type transistor: PNP. vcbo: 275V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 225V

BE-modstand: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Omkostninger): 400pF. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: hFE 750...180000. Max hFE-forstærkning: 18000. Minimum hFE-forstærkning: 750. Kollektorstrøm: 20A. Ic (puls): 40A. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Vægt: 11.8g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2N6287. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N6287G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 160W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 5 MHz. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-66. Hus (i henhold til datablad): TO-66. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 130V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 5V