Transistorer

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 220. Minimum hFE-forstærkning: 130. Kollektorstrøm: 50mA. Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: A1123. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial høvl type . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/55V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 90 MHz. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 15A. Mærkning på kabinettet: A1141. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: SOT-199. Hus (i henhold til datablad): SOT-199. Type transistor: PNP. Mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Kollektorstrøm: 0.05A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Kollektorstrøm: 50mA. bemærk: 9mm. Mærkning på kabinettet: A1145 O. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type transistor: PNP. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2705. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Funktion: VCE(sat) 2V max. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. vcbo: 140V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2706

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 35V/30V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

Modstand B: 47. BE-modstand: 47. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Funktion: generelt formål. Kollektorstrøm: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: D6/C. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-236. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 55V/50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 150mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: generelt formål. Kollektorstrøm: 0.05A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 150V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Højspændingskobling. Kollektorstrøm: 0.07A. Ic (puls): 0.14A. bemærk: 9 mm højde. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): SANYO--MP. Type transistor: PNP. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.14V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2910

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Hurtig skiftehastighed. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 140mA. Mærkning på kabinettet: A1209. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: PNP. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2911. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Omkostninger): 40pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Kollektorstrøm: 2A. Mærkning på kabinettet: NY. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): 2-5K1A. Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi / SMD-kode NY. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: D3/B. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI, NF-E. Kollektorstrøm: 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO3P ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3182. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 35 MHz. Kollektorstrøm: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3263

Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 35 MHz. Funktion: HI-FI lyd. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 50. Kollektorstrøm: 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . tf (maks.): 1.5us. tf (min): 0.35us. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): MT-100. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 230V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3263. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 35 MHz. Kollektorstrøm: 17A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3264. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Kollektorstrøm: 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3280

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Kollektorstrøm: 15A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3281

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Kollektorstrøm: 14A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3284. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Kollektorstrøm: 1.5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3298. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS