Transistorer

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A743. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 8W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Mængde pr tilfælde: 1

Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: erstatte

Mængde pr tilfælde: 1

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: GE. FT: 1250 MHz. Kollektorstrøm: 20mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-39. Hus (i henhold til datablad): SOT-39. Type transistor: PNP. vcbo: 20V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 13V. Vebo: 0.3V

Kanaltype: N-P. Mærkning på kabinettet: 4502C. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.1W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)

Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 52A. On-resistance Rds On: 0.035 Ohms. Effekt: 228W. Hus: TO-247AC. Indbygget diode: ja . Drain-source spænding (Vds): 1200V

C (i): 500pF. Omkostninger): 300pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 10mA. IDss (min): 10mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 100 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Spænding Vds (maks.): 200V. Gate / kilde spænding Vgs: 14V. Spec info: komplementær transistor (par) ALF08P20V. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 500pF. Omkostninger): 300pF. Kanaltype: P. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 10mA. IDss (min): 10mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 100 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Spænding Vds (maks.): 200V. Gate / kilde spænding Vgs: 14V. Spec info: komplementær transistor (par) ALF08N20V. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 630pF. Omkostninger): 75pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 16.8 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching eller PWM applikationer. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (maks.): 5.7A. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. On-resistance Rds On: 22m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 12V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 933pF. Omkostninger): 108pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 21 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (maks.): 5uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.4W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 12V. Vgs (th) maks.: 1.3V. Vgs (th) min.: 0.6V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. On-resistance Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Driftsgatespænding så lav som 2,5V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 621pF. Omkostninger): 118pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 15.5 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 4.9A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (maks.): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.4W. On-resistance Rds On: 23.4m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 15.1 ns. Td(on): 4.5 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 520pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching eller PWM applikationer. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maks.): 4.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.4W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. On-resistance Rds On: 0.052 Ohms. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1160pF. Omkostninger): 187pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 17.7 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (maks.): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.4W. On-resistance Rds On: 18M Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 20V. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. Vgs (th) maks.: 1V. Vgs (th) min.: 0.4V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: ESD-beskyttet. GS-beskyttelse: ja

C (i): 2060pF. Omkostninger): 370pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 7.4A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.7W. On-resistance Rds On: 0.0085 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 24 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1.7V. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode 4407A. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 2330pF. Omkostninger): 480pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: FET. Funktion: Switching eller PWM applikationer. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10.5A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (maks.): 5uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3W. On-resistance Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1.7V. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: ja

C (i): 6060pF. Omkostninger): 638pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 33.5 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 18A. Idss (maks.): 5uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3W. On-resistance Rds On: 0.0047 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 51.5 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: Ultra-lav portmodstand. GS-beskyttelse: NINCS

Kanaltype: N-P. Funktion: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Mængde pr tilfælde: 2. Teknologi: Komplementære MOSFET-transistorer, N-kanal og P-kanal

Kanaltype: N-P. Funktion: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Mængde pr tilfælde: 2. Teknologi: Komplementære MOSFET-transistorer, N-kanal og P-kanal

Kanaltype: N-P. Funktion: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Mængde pr tilfælde: 2. Teknologi: Komplementære MOSFET-transistorer, N-kanal og P-kanal

Kanaltype: N-P. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. On-resistance Rds On: 28/35m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SOP-8. Mængde pr tilfælde: 2. Teknologi: Komplementære MOSFET-transistorer, N-kanal og P-kanal. Spec info: erstatning for MOSFET

Kanaltype: N-P. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Mængde pr tilfælde: 2. On-resistance Rds On: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Teknologi: Komplementære MOSFET-transistorer, N-kanal og P-kanal, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A

Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Type transistor: MOSFET. Funktion: Komplementær Enhancement Mode FET. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms

Kanaltype: N-P. Funktion: Komplementær Enhancement Mode FET. Idss: 1...5uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 16.2/4.8 ns. Td(on): 6.4 ns. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1.7V. Mængde pr tilfælde: 2. bemærk: IDM--30Ap & 30Ap. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms

Kanaltype: N-P. Funktion: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Antal terminaler: 8:1. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Mængde pr tilfælde: 2. Teknologi: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)