Transistorer

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC549C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Omkostninger): 2.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC560B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Kollektorstrøm: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC560C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: TO-92. Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): 9pF. Omkostninger): 3.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Kollektorstrøm: 0.1A. Ic (puls): +150°C. Ækvivalenter: BC550CG, BC550CBU. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-92 3L (Ammo Pack). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC560C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC556B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC546B

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC556B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 280 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Type transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Spænding VCEO: -65V. Kollektorstrøm: -0.1A. Effekt: 0.5W. Hus: TO-92

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Kollektorstrøm: 100mA. Ic (puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC546C

Omkostninger): 6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 220. Minimum hFE-forstærkning: 110. Kollektorstrøm: 100mA. Ic (puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo-Pak ). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.08V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC547A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC557B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC547B

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC557B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 320 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Type transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Spænding VCEO: -50V. Kollektorstrøm: -0.2A. Effekt: 0.5W. Hus: TO-92

Hus: TO-92. Modstand B: PNP transistor. BE-modstand: -50V. C (i): 10pF. Omkostninger): 3.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Kollektorstrøm: 100mA. Ic (puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC547C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC557B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC557C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 320 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 100mA. Ic (puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.08V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Funktion: Switching, og AF-forstærker. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: C559A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: generelt formål. Kollektorstrøm: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: hFE 200...450. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Spec info: komplementær transistor (par) BC550B

Omkostninger): 2.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 380. Kollektorstrøm: 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Planær epitaksial transistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC550C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: TO-92. Modstand B: ja . BE-diode: PNP transistor. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-92. Omkostninger): TO-226AA. CE-diode: Gennemgående hulmontering af printkort . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 100mA. Ic (puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC550C

C (i): 50pF. Omkostninger): 7pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Planær epitaksial transistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C (i): 110pF. Omkostninger): 9pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Produktionsdato: 1997.04. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 800mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Planær epitaksial transistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C (i): 50pF. Omkostninger): 7pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Kollektorstrøm: 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS