Transistorer

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC639. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Spec info: komplementær transistor (par) BC640

Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 800mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Spec info: komplementær transistor (par) BC640-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C (i): 50pF. Omkostninger): 7pF. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 800mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC640-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC639-16. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.83W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC639-16. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.83W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Kollektorstrøm: 1A. Effekt: 0.8W. Hus: TO-92

Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Kollektorstrøm: 1A. Effekt: 0.8W. Hus: TO-92

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.83W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC639. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC640-16. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

C (i): 110pF. Omkostninger): 9pF. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 800mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BC639-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC640. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Kollektorstrøm: 0.5A. Mærkning på kabinettet: 5B. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 5B

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 5B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 5B1. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Omkostninger): 5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 250. Kollektorstrøm: 0.5A. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: 5C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 5C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 5C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 5C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 5G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 0.5A. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: 6As. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6As

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 0.5A. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6A

Omkostninger): 3pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 160. Kollektorstrøm: 0.5A. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: 6B. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23-3. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 6B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Omkostninger): 10pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 630. Minimum hFE-forstærkning: 250. Kollektorstrøm: 0.5A. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: 6C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 6C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor