Transistorer

BE-modstand: 260 Ohms. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Type transistor: NPN. vcbo: 1400V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Vebo: 5V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 60...230, isoleret plasthus. Spec info: faldtid 0,8us. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BU941ZP. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 350V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 155W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. Type transistor: NPN. vcbo: 500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. bemærk: >300. Mængde pr tilfælde: 1

Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Funktion: efterårstid 625ns. Max hFE-forstærkning: 3400. Minimum hFE-forstærkning: 500. Kollektorstrøm: 10A. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: 360-450V Clamping

Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Kollektorstrøm: 0.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: HV-POWER

Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Kollektorstrøm: 30A. Ic (puls): 60A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Højspænding Multi Epitaxial Planar teknologi . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.05us. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Højspændings hurtigskiftende effekttransistor

Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 14. Minimum hFE-forstærkning: 7. Kollektorstrøm: 14A. Ic (puls): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 220 ns. tf (min): 110 ns. Hus: ISOWATT218FX. Hus (i henhold til datablad): TO-218-ISO. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændingshurtigt skiftende transistor. Max hFE-forstærkning: 14. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 16A. Ic (puls): 22A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 210 ns. tf (min): 110 ns. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218 ( SOT93 ). Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Kollektorstrøm: 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: MONITOR

Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højopløsning . Max hFE-forstærkning: 9. Minimum hFE-forstærkning: 2.5. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 44W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 400 ns. tf (min): 200 ns. Hus: ISOWATT218FX. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: MONITOR

Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Max hFE-forstærkning: 6. Minimum hFE-forstærkning: 4. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Tf (type): 190 ns. Hus: ISOWATT218. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Vebo: 10V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: MONITOR. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 57W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. bemærk: MONITOR. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (maks.): 13.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 0.12 Ohms. Teknologi: V-MOS. Spænding Vds (maks.): 50V. Mængde pr tilfælde: 1

C (i): 750pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 20uA. IDss (min): 2uA. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. On-resistance Rds On: 2.1 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 10 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 2230pF. Omkostninger): 510pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 62 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 347A. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 75A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 166W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 84 ns. Td(on): 18 ns. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-404. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. On-resistance Rds On: 0.009 Ohms. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1200pF. Omkostninger): 290pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 217A. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 54A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 118W. On-resistance Rds On: 17m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 70 ns. Td(on): 15 ns. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-404. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 440pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 81A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 0.05uA. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 28 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): SOT-78 ( TO220AB ). Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 10V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. On-resistance Rds On: 0.064 Ohms. Funktion: Automotive, power switching, 12V og 24V Motor. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 32. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 4A. Ic (puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Tf (type): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: højspænding, hurtigt skiftende. Spec info: TO-220. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 4A. Ic (puls): 6A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 720 ns. tf (min): 450 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 1600V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 9V. Funktion: højspændings hurtig omskiftning, til omskiftning af strømforsyninger. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Max hFE-forstærkning: 14. Minimum hFE-forstærkning: 6. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 150us. tf (min): 80us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtig skift til skift af strømforsyninger

Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 13.5. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 150 ns. tf (min): 80 ns. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. vcbo: 1150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . Funktion: SMPS S-L. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 100 ns. tf (min): 0.8us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 800V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Vebo: 9V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Højhastighedsskift

Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Hurtig kommutering til switching mode strømforsyning. Max hFE-forstærkning: 10. Minimum hFE-forstærkning: 4. Kollektorstrøm: 4A. Ic (puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 100 ns. tf (min): 50 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 850V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.13V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms

Halvledermateriale: silicium . Funktion: SMPS S-L. Kollektorstrøm: 7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Højhastighedsskift

Omkostninger): 50pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Funktion: SMPS S-L. Max hFE-forstærkning: 34. Minimum hFE-forstærkning: 14. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO220AB CASE 221A-09. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Vebo: 9V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Højhastighedsskift. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS