Transistorer

Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 50. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 20A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 32W. Type transistor: NPN. vcbo: 850V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 175W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3PN. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUX48A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 450V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 175W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Funktion: S. Kollektorstrøm: 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. vcbo: 450V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUX85G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 450V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrøm: 0.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Modstand B: Power transistor. BE-diode: NPN. C (i): 1000V. Omkostninger): 0.5A. CE-diode: 40W. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-82. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUX87P. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 450V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 42W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Halvledermateriale: silicium . FT: 25 MHz. Funktion: S-L. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 15A. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Kollektorstrøm: 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. vcbo: 2200V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN. vcbo: 280V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Mængde pr tilfælde: 1

C (i): 1220pF. Omkostninger): 410pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (maks.): 52A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. On-resistance Rds On: 0.018 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 30 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: SIPMOS, PowerMosfet. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): P-TO263-3-2. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Mængde pr tilfælde: 1

C (i): 1500pF. Omkostninger): 750pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 30A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 20uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 180 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 50V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. Idss (maks.): 42A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. On-resistance Rds On: 0.028 Ohms. Teknologi: V-MOS. Spænding Vds (maks.): 50V. Mængde pr tilfælde: 1

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 39A. Idss (maks.): 39A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. On-resistance Rds On: 40m Ohms. Teknologi: V-MOS S/L. Spænding Vds (maks.): 50V. bemærk: 250/500ns. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUZ22. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 30 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 300 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1850pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (maks.): 2.6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 78W. Teknologi: V-MOS L. Spænding Vds (maks.): 1000V. Mængde pr tilfælde: 1

C (i): 330pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 250uA. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. On-resistance Rds On: 0.23 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 25 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUZ73LH. Drain-source spænding Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 20 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 840pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (maks.): 2.4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Teknologi: V-MOS. Spænding Vds (maks.): 500V. Mængde pr tilfælde: 1

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 1.8 Ohms. Teknologi: V-MOS. Spænding Vds (maks.): 400V. bemærk: <57/115ns. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUZ76A. Drain-source spænding Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 12 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: <50/105ns. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (maks.): 2.7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 4 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: V-MOS. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Mængde pr tilfælde: 1

C (i): 460pF. Omkostninger): 55pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Td(fra): 50 ns. Td(on): 8 ns. Teknologi: V-MOS. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Mængde pr tilfælde: 1

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. Idss (maks.): 2.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Teknologi: V-MOS (F). Spænding Vds (maks.): 800V. bemærk: <100/220ns. Mængde pr tilfælde: 1