Transistorer

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP3415PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 12 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 72 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2400pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

C (i): 2600pF. Omkostninger): 660pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 0.3 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 87 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spænding Vds (maks.): 400V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP350PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 16 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 87 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 190W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 4500pF. Omkostninger): 1100pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 92A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 400V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 3400pF. Omkostninger): 540pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 91A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 42 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 400V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

Producentens mærkning: IRFP360PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 18 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4500pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 280W. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 23A. Effekt: 280W. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. Hus: TO-247AC HV. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Drain-source spænding (Vds): 400V

C (i): 3000pF. Omkostninger): 640pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 210 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. On-resistance Rds On: 0.026 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 58 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: FastSwitch. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. Idss (maks.): 51A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. On-resistance Rds On: 0.023 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 100V

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP3710PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 58 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3000pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. Hus (JEDEC-standard): 180W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

C (i): 4600pF. Omkostninger): 460pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (maks.): 1mA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 330W. On-resistance Rds On: 0.021 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 21 ns. Td(on): 33 ns. Teknologi: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spænding Vds (maks.): 200V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 4560pF. Omkostninger): 390pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (maks.): 1mA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 310W. On-resistance Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 25 ns. Td(on): 44 ns. Teknologi: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spænding Vds (maks.): 250V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Vægt: 5.8g. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 7370pF. Omkostninger): 520pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (maks.): 150uA. IDss (min): 5uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 430W. On-resistance Rds On: 0.049 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spænding Vds (maks.): 300V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 5860pF. Omkostninger): 530pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PDP Switch. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (maks.): 1mA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 360W. On-resistance Rds On: 0.029 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power-MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spænding Vds (maks.): 250V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP4468PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 52 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 160 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 19860pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 520W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

C (i): 2600pF. Omkostninger): 420pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 540 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 92us. Td(on): 17us. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 2200pF. Omkostninger): 320pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 580us. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 30 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP450LCPBF. Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2200pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 190W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP450PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 17 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 92 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 190W. Hus (JEDEC-standard): 180W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 10470pF. Omkostninger): 977pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 171A. ID (T=100°C): 121A. ID (T=25°C): 694A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 517W. On-resistance Rds On: 0.0048 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 47 ns. Td(on): 27 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 150V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 4200pF. Omkostninger): 870pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. On-resistance Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 110 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Hus: TO-247 . C (i): 3100pF. Omkostninger): 480pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. On-resistance Rds On: 0.27 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Omkostninger): 152pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 437ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 62A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 278W. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 117 ns. Td(on): 24 ns. Teknologi: D Series Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. C (i): 3940pF. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 3600pF. Omkostninger): 440pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. On-resistance Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 40 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Funktion: hurtig omskiftning, ultra lav portopladning. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP460LCPBF. Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 18 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 40 ns. Maksimal dissipation Ptot [W]: 280W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3600pF

Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP460PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 18 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 280W. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 20A. Effekt: 250W. Hus: TOP-3 (TO-247). driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Drain-source spænding (Vds): 500V