Transistorer

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højeffektiv synkron ensretning i skiftende strømforsyninger. Id(imp): 520A. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (maks.): 130A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 520W. On-resistance Rds On: 0.008 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 200V

C (i): 6160pF. Omkostninger): 440pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Power-MOSFET. Id(imp): 300A. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (maks.): 72A. IDss (min): 0.1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. Td(fra): 41 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Port/kildespænding (fra) min.: 3.5V. Vgs (th) maks.: 5.5V. bemærk: Høj frekvens. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Hus: TO-247AC. Producentens mærkning: IRFP4710PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 5.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 35 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 41 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6160pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 190W. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 72A. Effekt: 190W. On-resistance Rds On: 0.014 Ohms. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Drain-source spænding (Vds): 100V

C (i): 1070pF. Omkostninger): 6040pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højfrekvente DC-DC konvertere. Id(imp): 380A. ID (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 580W. On-resistance Rds On: 0.023 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 43 ns. Td(on): 23 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 200V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP90N20DPBF. Drain-source spænding Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 23 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 640pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 580W. Hus (JEDEC-standard): 580W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

C (i): 1300pF. Omkostninger): 400pF. Kanaltype: P. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 23A. Idss (maks.): 250mA. IDss (min): 25mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. On-resistance Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 51 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP9140NPBF. Drain-source spænding Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 15 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 51 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 140W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP9140PBF. Drain-source spænding Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 16 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 34 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1400pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 180W. Hus (JEDEC-standard): 180W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

C (i): 1200pF. Omkostninger): 370pF. Kanaltype: P. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. On-resistance Rds On: 0.57 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 39 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 200V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Spec info: komplementær transistor (par) IRFP240. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP9240PBF. Drain-source spænding Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 150W. Hus (JEDEC-standard): 150W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 2700pF. Omkostninger): 300pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. On-resistance Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 88 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 2100pF. Omkostninger): 270pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA-. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. On-resistance Rds On: 0.58 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 33 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFPC50PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 18 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 88 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2700pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 180W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 3900pF. Omkostninger): 440pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 610 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 110 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1900pF. Omkostninger): 470pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 5.4A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. On-resistance Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Funktion: hurtig skift, ORION TV. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFPE40PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 16 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1900pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 150W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 3100pF. Omkostninger): 800pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 31A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 7.8A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 120ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 7.8A. Effekt: 190W. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: TO-247AC HV. Drain-source spænding (Vds): 800V

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: <63/214ns. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (maks.): 4.7A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: V-MOS L. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 900V

C (i): 2900pF. Omkostninger): 270pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 610 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.7A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 1.6 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 130 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFPF50PBF. Drain-source spænding Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 20 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2900pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 190W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 2800pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 630 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 130 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 1000V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2V. Vgs (th) maks.: 4 v. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 6.1A. Effekt: 190W. Hus: TO-247AC. On-resistance Rds On: 2 Ohms. Drain-source spænding (Vds): 1000V

C (i): 5579pF. Omkostninger): 810pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 144A. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 36A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. On-resistance Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 52 ns. Td(on): 23 ns. Teknologi: Power MOSFET. Hus: 17.4k Ohms. Hus (i henhold til datablad): SUPER247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: 17.4k Ohms. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFPS37N50APBF. Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 23 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5580pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 446W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C