Transistorer

Omkostninger): 20pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 390. Minimum hFE-forstærkning: 180. Kollektorstrøm: 1A. Mærkning på kabinettet: BA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89 (SC-62). Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 39pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Kollektorstrøm: 4A. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126ML. Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: NF/SL. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1683. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 50pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Funktion: NF-E-L. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 60. Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan type . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): SC-67. Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 95pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Kollektorstrøm: 8A. Id(imp): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tf (type): 20 ns. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251 ( I-Pak ). Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1804. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 320 MHz. Funktion: Strobe High-Current switching. Kollektorstrøm: 5A. bemærk: hFE 140...280. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Spec info: TO-251 (I-Pak)

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Kollektorstrøm: 3A. bemærk: =4000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V

Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 390. Minimum hFE-forstærkning: 82. Kollektorstrøm: 1A. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: TU2. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): ATV. Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Kollektorstrøm: 2A. bemærk: hFE 180...390. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Spec info: 2SB1240R

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Max hFE-forstærkning: 390. Minimum hFE-forstærkning: 82. Kollektorstrøm: 3A. Ic (puls): 4.5A. Mærkning på kabinettet: B1243 (RN). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan type . Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): ATV. Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Lavfrekvent effektforstærker. Kollektorstrøm: 3A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1913

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 3A. bemærk: >2000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Kollektorstrøm: 6A. bemærk: =10000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Max hFE-forstærkning: 10000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Kollektorstrøm: 4A. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1933

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 9 MHz. Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1913

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Optimal til 120W Hi-Fi-output. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 3500. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffusion planar type darlington . tf (maks.): 1.2us. tf (min): 1.2us. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TOP-3L. Type transistor: PNP. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/L. Max hFE-forstærkning: 5000. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. vcbo: 160V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2390

Darlington-transistor?: 1. Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN ( MT-100 ). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2390. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2394

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/L. Kollektorstrøm: 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Type transistor: PNP. vcbo: 160V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2401

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 65 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2438. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2439. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P ( SOT-93 ). Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Kollektorstrøm: 6A. bemærk: >5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2495

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 45 MHz. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Funktion: HI-FI lydeffektforstærker og regulator. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2560

Omkostninger): 100pF. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Kollektorstrøm: 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): MT-25 (TO220). Type transistor: PNP. vcbo: 110V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2589. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS