| Antal på lager: 59 |
BYV79E-200, TO-220, 200V, 12.7A, 14A, 150A, TO-220-2
Antal
Enhedspris
1-4
14.93kr
5-24
13.12kr
25-49
11.77kr
50-99
10.46kr
100+
9.04kr
| +363 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Ækvivalens tilgængelig | |
| Antal på lager: 143 |
BYV79E-200, TO-220, 200V, 12.7A, 14A, 150A, TO-220-2. Hus: TO-220. VRRM: 200V. Fremadgående strøm (AV): 12.7A. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 14A. IFSM: 150A. Hus (i henhold til datablad): TO-220-2. Antal terminaler: 2. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Diode konfiguration: uafhængig. Diode type: ensretter diode. Fremadspænding (maks.): <1.05V / 14A. Fremadspænding Vf (min): 0.83V. Funktion: ultrahurtig ensretterdiode. Halvledermateriale: silicium. Information: -. MR (max): 50uA. MR (min): 5uA. MSL: -. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Monteringstype: THT. Mængde pr tilfælde: 1. Omvendt gendannelsestid (maks.): 30ns. RoHS: ja. Serie: BYV79. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 20 ns. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.05V. Originalt produkt fra producenten: Nxp Semiconductors. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 22:04
BYV79E-200
27 parametre
Hus
TO-220
VRRM
200V
Fremadgående strøm (AV)
12.7A
Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode
14A
IFSM
150A
Hus (i henhold til datablad)
TO-220-2
Antal terminaler
2
Dielektrisk struktur
Anode-katode
Diode konfiguration
uafhængig
Diode type
ensretter diode
Fremadspænding (maks.)
<1.05V / 14A
Fremadspænding Vf (min)
0.83V
Funktion
ultrahurtig ensretterdiode
Halvledermateriale
silicium
MR (max)
50uA
MR (min)
5uA
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Monteringstype
THT
Mængde pr tilfælde
1
Omvendt gendannelsestid (maks.)
30ns
RoHS
ja
Serie
BYV79
Spec info
Ifsm 150Ap t=10ms
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
20 ns
Tærskelspænding Vf (maks.)
1.05V
Originalt produkt fra producenten
Nxp Semiconductors