Eupec/Infineon FS75R12KE3GBOSA1 N-Kanal IGBT Modul 1200V 75A 355W

Teknisk beskrivelse af produktet (FS75R12KE3GBOSA1):

Kollektor/Emitter spænding Vceo: 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Hus (ifølge datablad): andet. Hus: andet. Germaniumdiode: nej. RoHS: ja. Driftstemperatur: -40...+125°C. Dimensioner: 122x62x17.5mm. CE Diode: ja. Antal forbindelser: 35. Montering/installation: gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Bemærkning: 6x IGBT+ CE Diode. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Mætningsspænding VCE(sat): 1.65V. Ic(puls): 150A. Mærkning på huset: FS75R12KE3G. C (in): 5300pF. Gate-Emitter spænding VGE: 20V. Maksimal effekttab: 355W. Maksimal mætningsspænding VCE(sat): 2.15V. Gate-Emitter spænding VGE(th) min.: 5.5V. Gate-Emitter spænding VGE(th) max.: 6.5V. Kollektorstrøm: 100A.