Fairchild FQA19N60 N-Kanal MOSFET 600V 18.5A 0.3 Ohm TO-3PN QFET DMOS

Teknisk beskrivelse af produktet (FQA19N60):

Spænding Vds(max): 600V. Idss (max): 100uA. Id (T=25°C): 18.5A. Id (T=100°C): 11.7A. Gennemgangsmodstand Rds On: 0.3 Ohm. Hus (ifølge datablad): TO-3PN. Hus: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal forbindelser: 3. Montering/installation: gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Hurtig skift, lav gate-ladning (typisk 44nC). Teknologi: DMOS, QFET. G-S beskyttelse: nej. Td(off): 150 ns. Idss (min): 10uA. Td(on): 65 ns. Antal pr. hus: 1. Id(imp): 74A. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Trr Diode (Min.): 420 ns. Maksimal effekttab: 300W. Drain-Source beskyttelse: diode. Gate/Source spænding Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.