Hitachi 2SK1296 N-Kanal MOSFET, 60V, 30A, 0.028 Ohm, TO-220 Kapsling

Teknisk beskrivelse af produktet (2SK1296):

Drain-Source-spænding Vds(max): 60V. Drain-Source-lækstrøm Idss(max): 30A. Kontinuerlig Drain-strøm Id (T=25°C): 30A. Kontinuerlig Drain-strøm Id (T=100°C): 15A. On-State-modstand Rds(On): 0.028 Ohm. Kapsling (ifølge datablad): TO-220. Kapsling: TO-220. RoHS-kompatibel: Ja. Særlige funktioner: Logikniveau-kompatibel. Antal ben: 3. Monteringstype: Gennemhulsmontage. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: N-Kanal MOSFET. Teknologi: V-MOS. Antal pr. kapsling: 1. Maksimal effektafledning: 75W.