International Rectifier IRFB23N15D N-Kanal HEXFET Power MOSFET 150V 23A 0.09 Ohm TO-220

Teknisk beskrivelse af produktet (IRFB23N15D):

Spænding Vds(max): 150V. Idss (max): 250uA. Id (T=25°C): 23A. Id (T=100°C): 17A. Gennemgangsmodstand Rds On: 0.09 Ohm. Hus (ifølge datablad): TO-220AB. Hus: TO-220. RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+175°C. Antal forbindelser: 3. Montering/installation: gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Højfrekvente DC-DC konvertere. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. G-S beskyttelse: nej. Td(off): 18 ns. Idss (min): 25uA. Td(on): 10 ns. Antal pr. hus: 1. Id(imp): 92A. Mærkning på huset: B23N15D. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 1200pF. C (out): 260pF. Trr Diode (Min.): 150 ns. Maksimal effekttab: 136W. Emballage: plastrør. Drain-Source beskyttelse: Zenerdiode. Gate/Source spænding Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5.5V. Emballageenhed: 50.