N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 300uA. On-resistance Rds On: 1.1 Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 1300pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: Felteffekttransistor MOS II.5. Driftstemperatur: -...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 1.5V

N-kanal transistor, 3.2A, 5.5A, 5.5A, 1.2 Ohms, 400V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (maks.): 5.5A. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Spænding Vds (maks.): 400V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: DC-DC spændingsomformer. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Teknologi: V-MOS

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220, 250V, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Drain-source spænding Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: K1393. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 150 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 200 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 675pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 2.5A, 5A, 5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 5A. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

N-kanal transistor, 2A, 3.6A, 3.6A, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (maks.): 3.6A. On-resistance Rds On: 3.6 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: V-MOS

N-kanal transistor, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 2.8 Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3BP. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 700pF. Omkostninger): 300pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 10A. Mærkning på kabinettet: K1461. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 200 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: V-MOS, S-L. Driftstemperatur: -...+150°C. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 3V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning , 21F1B, 1 kV, 12A. Hus: PCB-lodning . Hus: 21F1B. Drain-source spænding Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SK1489. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 140 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 500 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2000pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 0.85 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1200pF. Omkostninger): 150pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. IDss (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: K1507. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 160 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: F-II Series POWER MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 1mA. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1B. Spænding Vds (maks.): 180V. C (i): 700pF. Omkostninger): 150pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højeffektforstærkerapplikation. Mærkning på kabinettet: K1529. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Field Effect Silicon N-Channel MOS Type. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Port/kildespænding (fra) max.: 2.8V. Port/kildespænding (fra) min.: 0.8V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SJ200. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 4A, 8A, 8A, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 8A. On-resistance Rds On: 1 Ohm. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: FAP-IIA Series

N-kanal transistor, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 300uA. On-resistance Rds On: 1.9 Ohms. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 690pF. Omkostninger): 120pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1450 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Høj hastighed. Id(imp): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 210 ns. Td(on): 70 ns. Teknologi: V-MOS. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 1.5V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 3.2 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FI. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 400pF. Omkostninger): 55pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. Mærkning på kabinettet: K2043. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 65 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: silicium MOSFET transistor. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Port/kildespænding (fra) max.: 4 v. Port/kildespænding (fra) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 20mA, 12mA, TO-92, TO-92, 20V. ID (T=25°C): 20mA. Idss (maks.): 12mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Spænding Vds (maks.): 20V. C (i): 4pF. Omkostninger): 4pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: FET. Funktion: FM-tuner applikationer. IDss (min): 0.6mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -55...+125°C. Port/kildespænding (fra) max.: 2.5V. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 7A, 8A, 8A, 0.4 Ohms, 200V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 8A. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. Spænding Vds (maks.): 200V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Teknologi: V-MOS

N-kanal transistor, 3A, 6A, 6A, 0.8 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 6A. On-resistance Rds On: 0.8 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: skifte kredsløb. Id(imp): 24A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: MOSFET transistor

N-kanal transistor, 4.5A, 9A, 9A, 0.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 9A. On-resistance Rds On: 0.35 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 200V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: V-MOS-L

N-kanal transistor, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 2A. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 250V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: FAP-IIA Series

N-kanal transistor, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 2A. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 250V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: FAP-IIA Series

N-kanal transistor, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 27A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.09 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 1100pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 155 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Bilelektronik. Id(imp): 108A. Mærkning på kabinettet: K2314. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 140us. Td(on): 30us. Teknologi: Power Field-Effect Transistor. Driftstemperatur: -50...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 0.8V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: ESD Protected--2000V min. GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 3A, 6A, 6A, 2 Ohms, 700V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 6A. On-resistance Rds On: 2 Ohms. Spænding Vds (maks.): 700V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Teknologi: V-MOS (F). bemærk: 70/160ns. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 25A, 100uA, 0.23 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 25A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.23 Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 500V. Omkostninger): 700pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Mærkning på kabinettet: K2372. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 160 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: MOSFET transistor. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. C (i): 3600pF. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 7.5A, 7.5A, 0.42 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (maks.): 7.5A. On-resistance Rds On: 0.42 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 250V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 30A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Felteffekttransistor. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 3mA, 14mA, TO-92, TO-92. ID (T=25°C): 3mA. Idss (maks.): 14mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kanaltype: N. IDss (min): 6mA. Mærkning på kabinettet: K246BL. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Gate / kilde spænding Vgs: -30V. Port/kildespænding (fra) max.: 6V. Port/kildespænding (fra) min.: 0.7V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: komplementær transistor (par) 2SJ103

N-kanal transistor, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 3.2 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 900pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højspændingskoblingsapplikationer. Id(imp): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 63 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: MOSFET transistor. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. ID (T=25°C): 25A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.046 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 50V. C (i): 900pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: Yfs--8-16S. Id(imp): 75A. IDss (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: K2507. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 110 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: Felteffekt MOS-type(L2-TT-MOSV). Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 0.8V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. GS-beskyttelse: ja