N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 200uA. On-resistance Rds On: 1.87 Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 950pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 900ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 110 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: TT-MOSV. Driftstemperatur: -...+150°. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 15A, 25A, 10uA, 0.045 Ohms, TO-220FP, TO–220FM, 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 25A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.045 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO–220FM. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 740pF. Omkostninger): 380pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: High Speed ​​Power Switching. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 10 ns. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 10A. On-resistance Rds On: 1.05 Ohms. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1B. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 2150pF. Omkostninger): 220pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: DC-DC konverter, relæ og motordrev. GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 12.5A, 25A, 10uA, 0.028 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 25A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.028 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 790pF. Omkostninger): 240pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 75A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 65 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: MOSFET transistor. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.32 Ohms. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89 ( MTP3 ). Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 160pF. Omkostninger): 85pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. Mærkning på kabinettet: KE. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 120ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: MOS FET. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 1.5V. Vgs (th) min.: 0.8V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode KE. GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.6 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 550pF. Omkostninger): 115pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 1.3us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 35 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: MOSFET transistor. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Port/kildespænding (fra) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: POWER Switching MOSFET, industriel brug. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 38m Ohms. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1B. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 5400pF. Omkostninger): 1900pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 190 ns. Td(on): 55 ns. Teknologi: Felteffekttransistor MOS-V. Driftstemperatur: -...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 1.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Switching mode regulator, DC-DC konverter, motor driver. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO220F-3L. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 650pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 2us. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 20A. IDss (min): 0.1uA. Ækvivalenter: FS5KM-10-AW. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 60 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: V-MOS (F). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. ID (T=25°C): 7A. Idss (maks.): 7A. On-resistance Rds On: 1.62 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F15. Spænding Vds (maks.): 800V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 28A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SILICON POWER MOS-FET. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power

N-kanal transistor, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.58 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1200pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 0.75us. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 40A. IDss (min): 25uA. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 35 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. bemærk: Panasonic--B1CERR000022. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ID (T=25°C): 21A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.29 Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Spænding Vds (maks.): 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (i): 2280pF. Omkostninger): 290pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 0.7us. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 84A. IDss (min): 25uA. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 78 ns. Td(on): 26 ns. Teknologi: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 7A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 1.46 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 800V. C (i): 740pF. Omkostninger): 105pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 2.3 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 28A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 40 ns. Td(on): 21 ns. Teknologi: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.75 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 1050pF. Omkostninger): 110pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 32A. Mærkning på kabinettet: K3561. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 38 ns. Td(on): 26 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSVI). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (maks.): 6A. On-resistance Rds On: 0.9 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1050pF. Omkostninger): 110pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 24A. Mærkning på kabinettet: K3562. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 130 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSVI). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (maks.): 5A. On-resistance Rds On: 1.35 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 550pF. Omkostninger): 70pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1400 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 20A. Mærkning på kabinettet: K3563. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSVI). GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 3.7 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 700pF. Omkostninger): 75pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 850 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 9A. Mærkning på kabinettet: K3564. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 125 ns. Td(on): 60 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSIV). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 2 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 1150pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 900ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 15A. Mærkning på kabinettet: K3565. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 170 ns. Td(on): 70 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSIV). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 5.6 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 470pF. Omkostninger): 50pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 720 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 7.5A. Mærkning på kabinettet: K3566. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 60 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSIV). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (maks.): 3.5A. On-resistance Rds On: 1.7 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 14A. Mærkning på kabinettet: K3567. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Field Effect (TT-MOSVI). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 1500pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 48A. Mærkning på kabinettet: K3568. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 170 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSVI). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.54 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): SC-67, 2-10U1B. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1500pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 40A. Mærkning på kabinettet: K3569. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. RoHS: ja . Vægt: 1.7g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 180 ns. Td(on): 50 ns. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Teknologi: Felteffekttransistor, MOS-type (TT-MOSVI). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Idss: 100uA. On-resistance Rds On: 3.7 Ohms. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. C (i): 700pF. Omkostninger): 75pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 850 ns. Type transistor: MOSFET. Antal terminaler: 3. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 125 ns. Td(on): 60 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSIV). GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.75 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 30A. Mærkning på kabinettet: K3667. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 150 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSVI). Driftstemperatur: -...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

N-kanal transistor, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 1.22 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 1100pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 3.2us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 25uA. Mærkning på kabinettet: K3679. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 95W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 3.31 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 430pF. Omkostninger): 60pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 14.8A. IDss (min): 25uA. Mærkning på kabinettet: K3699. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 43W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 32 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: Super FAP-G Series. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. GS-beskyttelse: NINCS