N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, 2A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 250V. C (i): 220pF. Omkostninger): 60pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching med høj hastighed. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 4A. Mærkning på kabinettet: K2538. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 90 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: Power F-MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 1V

N-kanal transistor, 4A, 8A, 8A, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 8A. On-resistance Rds On: 0.85 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 500V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Skiftende regulator. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: MOS-type (TT.MOSV)

N-kanal transistor, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.9 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1300pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 24A. Mærkning på kabinettet: K2545. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 150 ns. Td(on): 45 ns. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.9 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 800V. C (i): 1800pF. Omkostninger): 105pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 140 ns. Td(on): 80 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSIII). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 9A, 9A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 9A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 800V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Field Effect (TT-MOSIII)

N-kanal transistor, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.1 Ohms. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1B. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 2040pF. Omkostninger): 190pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1.6us. Type transistor: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 27A. Mærkning på kabinettet: K2611. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 95 ns. Td(on): 60 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSIII). Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.33 Ohms. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89 ( 2-5K1B ). Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 150pF. Omkostninger): 70pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Felteffekttransistor. GS-beskyttelse: Undertrykker. Id(imp): 6A. Mærkning på kabinettet: ZA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 150 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: MOS-type (L2.TT.MOSV). Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 0.8V

N-kanal transistor, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 2 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FI. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 700pF. Omkostninger): 220pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 25 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 16A. Mærkning på kabinettet: K2625. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 20 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Port/kildespænding (fra) min.: 3.5V. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3.5V

N-kanal transistor, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (maks.): 1mV. On-resistance Rds On: 3.6 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FI-LS. Spænding Vds (maks.): 800V. C (i): 550pF. Omkostninger): 150pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Germanium diode: NINCS. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: V-MOS (F). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Port/kildespænding (fra) max.: 5.5V. Port/kildespænding (fra) min.: 3.5V

N-kanal transistor, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 200uA. On-resistance Rds On: 0.73 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F15. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 950pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching med høj hastighed. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: K2640. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 70 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: FAP-IIS Series MOS-FET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3.5V

N-kanal transistor, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 100nA. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F15. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 900pF. Omkostninger): 150pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching med høj hastighed. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 10nA. Mærkning på kabinettet: K2645. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 60 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: FAP-IIS Series MOS-FET. Driftstemperatur: -...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3.5V

N-kanal transistor, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 200uA. On-resistance Rds On: 3.19 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220F15. Spænding Vds (maks.): 800V. C (i): 450pF. Omkostninger): 75pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching med høj hastighed. Id(imp): 16A. IDss (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: K2647. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: FAP-IIS Series MOS-FET. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 1.78 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F15. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 900pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching med høj hastighed. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 24A. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 70 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: FAP-IIS Series. Driftstemperatur: -...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3.5V

N-kanal transistor, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.35 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 780pF. Omkostninger): 200pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1400 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: High Speed Switching, Zener-Protected. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 20A. Mærkning på kabinettet: K2662. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 60 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: Felteffekttransistor (TT-MOS V). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 2.1 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F15. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 1140pF. Omkostninger): 105pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): na. Type transistor: MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): na. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 210 ns. Td(on): 55 ns. Teknologi: HVX-2 Series POWER MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 3.5V. Vgs (th) min.: 2.5V

N-kanal transistor, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.50 Ohms. Hus: TO-3P ( TO3P ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 2600pF. Omkostninger): 270pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 48A. Mærkning på kabinettet: K2699. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 65 ns. Td(on): 45 ns. Teknologi: Felteffekttransistor. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 3.7 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 750pF. Omkostninger): 70pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1100 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Høj hastighed, højspændingskobling, DC/DC-omformere. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 9A. Mærkning på kabinettet: K2700. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 110 ns. Td(on): 55 ns. Teknologi: Felteffekttransistor. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V. ID (T=25°C): 2A. Idss: 100uA. Idss (maks.): 2A. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 280pF. Omkostninger): 58pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Hurtig skiftehastighed. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 6A. Mærkning på kabinettet: K2715. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 30 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v

N-kanal transistor, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 2.3 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 1200pF. Omkostninger): 20pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Høj hastighed, højspændingskobling, DC/DC-omformere. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 15A. Mærkning på kabinettet: K2717. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 200 ns. Td(on): 90 ns. Teknologi: Felteffekttransistor. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 13A, 25A, 10uA, 28m Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 25A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 28m Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 830pF. Omkostninger): 430pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højstrømsskift. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 100A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 21 ns. Teknologi: Field Effect Power Transistor. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V

N-kanal transistor, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 1.7 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 800pF. Omkostninger): 65pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1400 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 14A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: K2750. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 85 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: Field Effect (TT-MOSV). Driftstemperatur: -...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 1 Ohm. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1100pF. Omkostninger): 170pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching med høj hastighed. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 36A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 75 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3.5V

N-kanal transistor, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.9 Ohms. Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 700V. C (i): 1850pF. Omkostninger): 400pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 2.5us. Type transistor: MOSFET. Funktion: High Speed ​​Power Switching. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 48A. IDss (min): na. Td(fra): 140 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: N-kanal MOSFET transistor. Effekt: 175W. tf (min): TO-3P ( TO3P ). Driftstemperatur: -...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Port/kildespænding (fra) min.: 2V

N-kanal transistor, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 2040pF. Omkostninger): 640pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 48A. IDss (min): na. Mærkning på kabinettet: K2842. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 180 ns. Td(on): 58 ns. Teknologi: Felteffekttransistor, MOS-type (TT.MOSV). Driftstemperatur: -...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.54 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F ( 2-10R1B ). Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 2040pF. Omkostninger): 230pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 40A. IDss (min): na. Mærkning på kabinettet: K2843. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 190 ns. Td(on): 58 ns. Teknologi: Felteffekttransistor, MOS-type (TT.MOSV). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V