N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220 ( AB ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 1100pF. Omkostninger): 73pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 50. Trr-diode (min.): 42 ns. Funktion: UltraFast CoPack IGBT. Kollektorstrøm: 23A. Ic (puls): 92A. Mærkning på kabinettet: IRG4BC30UD. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 91 ns. Td(on): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.95V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 980pF. Omkostninger): 71pF. Kanaltype: N. Funktion: effekt MOSFET transistor op til 150 kHz. Kollektorstrøm: 23A. Ic (puls): 92A. Mærkning på kabinettet: IRG 4BC30W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 99 ns. Td(on): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 16A, TO-247 , TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 920pF. Omkostninger): 110pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Trr-diode (min.): 42 ns. Kollektorstrøm: 28A. Ic (puls): 58A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 160 ns. Td(on): 60 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.21V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.7V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Spec info: UltraFast IGBT transistor. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 12A, TO-247 , TO-247 ( AC ), 600V. ID (T=100°C): 12A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 1100pF. Omkostninger): 73pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Trr-diode (min.): 42 ns. Funktion: ULTRA FAST. Kollektorstrøm: 23A. Ic (puls): 92A. Mærkning på kabinettet: IRG4PC30UD. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 91 ns. Td(on): 40 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.95V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 27A, TO-247 , TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 2200pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: Gennemgående hulmontering af printkort . Trr-diode (min.): 42 ns. Kollektorstrøm: 49A. Ic (puls): 84A. Mærkning på kabinettet: 230 ns. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 230 ns. Td(on): 63 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.85V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrahurtig, til høje driftsfrekvenser 8-40kHz. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 25A, TO-247 , TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 1600pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Kollektorstrøm: 42A. Ic (puls): 84A. Mærkning på kabinettet: G4PC40K. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 140 ns. Td(on): 30 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.7V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Spec info: Isoleret gate bipolær transistor (IGBT). Funktion: Ultrahurtig, til høje driftsfrekvenser 8-40kHz. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 25A, TO-247 , TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 1600pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 42 ns. Kollektorstrøm: 42A. Ic (puls): 84A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 110 ns. Td(on): 53 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.6V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrahurtig, til høje driftsfrekvenser 8-40kHz. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 20A, TO-247 , TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 2100pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 40A. Ic (puls): 160A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 110 ns. Td(on): 34 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.72V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrahurtig, til høje driftsfrekvenser 8-40kHz. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 20A, TO-247 , TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 1900pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Kollektorstrøm: 40A. Ic (puls): 160A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 27 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.05V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 27A, TO-247 , TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 3700pF. Omkostninger): 260pF. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 55A. Ic (puls): 220A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 120ns. Td(on): 46 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.93V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 25. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 60A, TO-247 , TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 6050pF. Kanaltype: N. Funktion: Fast Speed ​​​​IGBT . Kollektorstrøm: 90A. Ic (puls): 360A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 520W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 310 ns. Td(on): 42 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Omkostninger): 360pF. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 21A, TO-247 , TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. C (i): 1800pF. Omkostninger): 120pF. Kanaltype: N. Funktion: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Kollektorstrøm: 41A. Ic (puls): 82A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 220 ns. Td(on): 24 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.43V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3.1V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 24A, TO-247 , TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. C (i): 2800pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 45A. Ic (puls): 90A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 200 ns. Td(on): 36ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.77V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 24A, TO-247 , TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1220V. C (i): 2800pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Trr-diode (min.): 90 ns. Kollektorstrøm: 45A. Ic (puls): 90A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 140 ns. Td(on): 87 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.77V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 24A, TO-247 , TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Omkostninger): 160pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Kollektorstrøm: 45A. Ic (puls): 180A. Mærkning på kabinettet: IRG4PH50U. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 200 ns. Td(on): 35 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.56V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C (i): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 850pF. Omkostninger): 75pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 50. Trr-diode (min.): 92 ns. Kollektorstrøm: 31A. Ic (puls): 62A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 208W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 184 ns. Td(on): 34 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.2V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5.5V. Antal terminaler: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 48A, TO-247 , TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. C (i): 3025pF. Omkostninger): 245pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Kollektorstrøm: 90A. Ic (puls): 144A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 165 ns. Td(on): 145 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.65V. Port/emitter spænding VGE: 30 v. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4 v. Antal terminaler: 3. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 40A, TO-247 , TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. C (i): 2250pF. Omkostninger): 110pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Kollektorstrøm: 70A. Ic (puls): 250A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 112 ns. Td(on): 36ns. Driftstemperatur: -40...+140°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.29V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.57V. Port/emitter spænding VGE: 30 v. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2.6V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D²-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: L1004S. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.7V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 16 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5330pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.004 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 40V. C (i): 6590pF. Omkostninger): 1710pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 63 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 640A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 38 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 0.004 Ohms, TO-220AB, 40V. On-resistance Rds On: 0.004 Ohms. Hus: TO-220AB. Drain-source spænding (Vds): 40V. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 160A. Effekt: 200W

N-kanal transistor, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (maks.): 200A. On-resistance Rds On: 0.005 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 40V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Funktion: Hurtigt skift, logisk niveau gate-drev

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 40V, 140A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRL1404ZPBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.7V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 19 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5080pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 230W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (maks.): 200A. On-resistance Rds On: 2.5M Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spænding Vds (maks.): 40V. C (i): 5080pF. Omkostninger): 970pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 790A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 30 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.07 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 30 v. C (i): 3290pF. Omkostninger): 1270pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 23 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) min.: 1V. GS-beskyttelse: NINCS