N-kanal transistor STF11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-kanal transistor STF11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
34.05kr
5-24
31.87kr
25-49
29.81kr
50-99
28.10kr
100+
25.34kr
Antal på lager: 107

N-kanal transistor STF11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.37 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 850pF. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 40A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 11NM60ND. Omkostninger): 44pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(fra): 50 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: MDmesh II POWER MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STF11NM60ND
34 parametre
ID (T=100°C)
6.3A
ID (T=25°C)
10A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.37 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220FP
Spænding Vds (maks.)
600V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
850pF
Funktion
LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
40A
Kanaltype
N
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
50
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
11NM60ND
Omkostninger)
44pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
25W
RoHS
ja
Spec info
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
Td(fra)
50 ns
Td(on)
16 ns
Teknologi
MDmesh II POWER MOSFET
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
130 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics