Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner
Halvledere Transistorer
N-P MOSFET transistorpar

N-P MOSFET transistorpar

54 tilgængelige produkter
Produkter pr. side :
12 3
Antal på lager : 225
FDS8962C

FDS8962C

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030...
FDS8962C
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: dobbelt MOSFET transistor, N og P kanaler, PowerTrench . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C
FDS8962C
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: dobbelt MOSFET transistor, N og P kanaler, PowerTrench . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C
Sæt med 1
15.94kr moms inkl.
(12.75kr ekskl. moms)
15.94kr
Antal på lager : 1
FMY4T148

FMY4T148

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Y4. Mærkning på kabinettet:...
FMY4T148
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Y4. Mærkning på kabinettet: Y4. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus (i henhold til datablad): SMT5
FMY4T148
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Y4. Mærkning på kabinettet: Y4. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus (i henhold til datablad): SMT5
Sæt med 1
22.83kr moms inkl.
(18.26kr ekskl. moms)
22.83kr
Antal på lager : 21
HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D

MOSFET transistor. CE-diode: NINCS. Kanaltype: N-P. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220...
HGTG30N60B3D
MOSFET transistor. CE-diode: NINCS. Kanaltype: N-P. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Germanium diode: NINCS. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 208W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 137 ns. Td(on): 36ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.45V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.2V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V
HGTG30N60B3D
MOSFET transistor. CE-diode: NINCS. Kanaltype: N-P. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Germanium diode: NINCS. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 208W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 137 ns. Td(on): 36ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.45V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.2V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V
Sæt med 1
101.25kr moms inkl.
(81.00kr ekskl. moms)
101.25kr
Antal på lager : 30
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

MOSFET transistor. CE-diode: NINCS. Kanaltype: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330...
HGTG40N60B3
MOSFET transistor. CE-diode: NINCS. Kanaltype: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Germanium diode: NINCS. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 290W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 170 ns. Td(on): 47 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V
HGTG40N60B3
MOSFET transistor. CE-diode: NINCS. Kanaltype: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Germanium diode: NINCS. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 290W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 170 ns. Td(on): 47 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V
Sæt med 1
132.31kr moms inkl.
(105.85kr ekskl. moms)
132.31kr
Antal på lager : 55
IRF7101

IRF7101

MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Antal terminaler...
IRF7101
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Antal terminaler: 8:1. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
IRF7101
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Antal terminaler: 8:1. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
7.01kr moms inkl.
(5.61kr ekskl. moms)
7.01kr
Antal på lager : 178
IRF7309

IRF7309

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4...
IRF7309
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.4W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v
IRF7309
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.4W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 30 v
Sæt med 1
6.90kr moms inkl.
(5.52kr ekskl. moms)
6.90kr
Antal på lager : 4026
IRF7317

IRF7317

MOSFET transistor. C (i): 780pF. Omkostninger): 430pF. Kanaltype: N-P. Afløbskildebeskyttelse: j...
IRF7317
MOSFET transistor. C (i): 780pF. Omkostninger): 430pF. Kanaltype: N-P. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Trr-diode (min.): 47 ns. Funktion: 0.029R & 0.58R. GS-beskyttelse: NINCS. Antal terminaler: 8:1. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: N&P-HEXFET Power MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
IRF7317
MOSFET transistor. C (i): 780pF. Omkostninger): 430pF. Kanaltype: N-P. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Trr-diode (min.): 47 ns. Funktion: 0.029R & 0.58R. GS-beskyttelse: NINCS. Antal terminaler: 8:1. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: N&P-HEXFET Power MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
11.11kr moms inkl.
(8.89kr ekskl. moms)
11.11kr
Antal på lager : 44
IRF7319

IRF7319

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. bemærk: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms...
IRF7319
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. bemærk: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms. bemærk: ( = P23AF 4532 SMD ). Mærkning på kabinettet: F7319. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: N&P-HEXFET Power MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
IRF7319
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. bemærk: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms. bemærk: ( = P23AF 4532 SMD ). Mærkning på kabinettet: F7319. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: N&P-HEXFET Power MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
9.69kr moms inkl.
(7.75kr ekskl. moms)
9.69kr
Antal på lager : 138
IRF7343

IRF7343

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: par komplementære N-kanal og...
IRF7343
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
IRF7343
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
18.46kr moms inkl.
(14.77kr ekskl. moms)
18.46kr
Antal på lager : 50
IRF7389

IRF7389

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: par komplementære N-kanal og...
IRF7389
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja . Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
IRF7389
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja . Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
9.56kr moms inkl.
(7.65kr ekskl. moms)
9.56kr
Antal på lager : 170
P2804NVG

P2804NVG

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 28 & 65m Ohms). Antal termin...
P2804NVG
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 28 & 65m Ohms). Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SOP-8
P2804NVG
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 28 & 65m Ohms). Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SOP-8
Sæt med 1
12.68kr moms inkl.
(10.14kr ekskl. moms)
12.68kr
Antal på lager : 77
SI4532ADY

SI4532ADY

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: IDM--20App, td(on)--12&8nS, t...
SI4532ADY
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: D-S-MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SI4532ADY
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: D-S-MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
8.13kr moms inkl.
(6.50kr ekskl. moms)
8.13kr
Antal på lager : 2461
SI4532CDY

SI4532CDY

MOSFET transistor. C (i): 340pF. Omkostninger): 67pF. Kanaltype: N-P. Afløbskildebeskyttelse: NI...
SI4532CDY
MOSFET transistor. C (i): 340pF. Omkostninger): 67pF. Kanaltype: N-P. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. Mængde pr tilfælde: 2. Trr-diode (min.): 30 ns. Funktion: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. GS-beskyttelse: NINCS. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: D-S-MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SI4532CDY
MOSFET transistor. C (i): 340pF. Omkostninger): 67pF. Kanaltype: N-P. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. Mængde pr tilfælde: 2. Trr-diode (min.): 30 ns. Funktion: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. GS-beskyttelse: NINCS. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: D-S-MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
7.71kr moms inkl.
(6.17kr ekskl. moms)
7.71kr
Antal på lager : 10
SI4539ADY

SI4539ADY

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS,...
SI4539ADY
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: D-S-MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SI4539ADY
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: D-S-MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
14.05kr moms inkl.
(11.24kr ekskl. moms)
14.05kr
Antal på lager : 41
SI4542DY

SI4542DY

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS...
SI4542DY
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: D-S-MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SI4542DY
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: D-S-MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
20.80kr moms inkl.
(16.64kr ekskl. moms)
20.80kr
Antal på lager : 66
SI9926BDY

SI9926BDY

MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overf...
SI9926BDY
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: (G-S) MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SI9926BDY
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: (G-S) MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
11.04kr moms inkl.
(8.83kr ekskl. moms)
11.04kr
Antal på lager : 120
SI9936BDY

SI9936BDY

MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8:1. Monterin...
SI9936BDY
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: 2xN-CH 30V. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SI9936BDY
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: 2xN-CH 30V. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
14.63kr moms inkl.
(11.70kr ekskl. moms)
14.63kr
Antal på lager : 5
SI9943DYT1

SI9943DYT1

MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overf...
SI9943DYT1
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: SMD. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SI9943DYT1
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: SMD. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
148.30kr moms inkl.
(118.64kr ekskl. moms)
148.30kr
Antal på lager : 2067
SI9945AEY

SI9945AEY

MOSFET transistor. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Trr-diode (min.): 45 ns. ...
SI9945AEY
MOSFET transistor. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Trr-diode (min.): 45 ns. Funktion: 9.31k Ohms. GS-beskyttelse: NINCS. ID (T=100°C): 3.7A. Idss (maks.): 3.2A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: 2xN-CH 60V. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SI9945AEY
MOSFET transistor. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Trr-diode (min.): 45 ns. Funktion: 9.31k Ohms. GS-beskyttelse: NINCS. ID (T=100°C): 3.7A. Idss (maks.): 3.2A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: 2xN-CH 60V. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
11.09kr moms inkl.
(8.87kr ekskl. moms)
11.09kr
Udsolgt
SI9956DY

SI9956DY

MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8:1. Monterin...
SI9956DY
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: 2xN-CH 20V. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SI9956DY
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: 2xN-CH 20V. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
16.66kr moms inkl.
(13.33kr ekskl. moms)
16.66kr
Antal på lager : 5
SK85MH10

SK85MH10

MOSFET transistor. RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: modul. konfiguration: Skruet. Antal termin...
SK85MH10
MOSFET transistor. RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: modul. konfiguration: Skruet. Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: SK85MH10. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3.3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 120ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 570 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 9100pF. Komponentfamilie: fuld MOSFET-bro, NMOS. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +125°C
SK85MH10
MOSFET transistor. RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: modul. konfiguration: Skruet. Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: SK85MH10. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3.3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 120ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 570 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 9100pF. Komponentfamilie: fuld MOSFET-bro, NMOS. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +125°C
Sæt med 1
476.05kr moms inkl.
(380.84kr ekskl. moms)
476.05kr
Antal på lager : 49
SP8M2

SP8M2

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohm...
SP8M2
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SP8M2
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
10.94kr moms inkl.
(8.75kr ekskl. moms)
10.94kr
Antal på lager : 462
SP8M3

SP8M3

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohm...
SP8M3
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SP8M3
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
19.09kr moms inkl.
(15.27kr ekskl. moms)
19.09kr
Antal på lager : 41
SP8M4

SP8M4

MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohm...
SP8M4
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: SP8M4FU6TB. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
SP8M4
MOSFET transistor. Kanaltype: N-P. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: SP8M4FU6TB. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
21.34kr moms inkl.
(17.07kr ekskl. moms)
21.34kr
Udsolgt
STS4DNF30L

STS4DNF30L

MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: STripFET™ Power MOSFET. Antal terminaler: ...
STS4DNF30L
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: STripFET™ Power MOSFET. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: 2xN-CH 30V. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
STS4DNF30L
MOSFET transistor. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: STripFET™ Power MOSFET. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: 2xN-CH 30V. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8
Sæt med 1
9.43kr moms inkl.
(7.54kr ekskl. moms)
9.43kr
12 3

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.