NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Funktion: NF/L. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1695

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Funktion: NF/L. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1695

NPN transistor, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): FM20 (TO220F). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 30pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 40 MHz. Funktion: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Teknologi: NPN Triple Diffused Planar Transistor. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 550V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 6 MHz. Funktion: Højspændings switchihg transistor. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 900V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Vebo: 7V

NPN transistor, 10A, 600V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: (F). Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

NPN transistor, PCB-lodning , D35/B, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D35/B. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: SC-71. Hus (i henhold til datablad): SC-71. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Omkostninger): 14pF. Konditioneringsenhed: 2500. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Ic (puls): 2.5A. Mærkning på kabinettet: 12.9k Ohms. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 80 ns. tf (min): 80 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.13V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1770. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 10mA, 1500V. Kollektorstrøm: 10mA. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . bemærk: Ic--10mA/30mApp. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Funktion: dynamisk fokus, højspændingsskift. Spec info: TO-220FI (Forming)

NPN transistor, 10mA, 1800V. Kollektorstrøm: 10mA. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . bemærk: Ic--10mA/30mApp. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Type transistor: NPN. vcbo: 2000V. Funktion: dynamisk fokus. Spec info: TO-220FI

NPN transistor, 2A, SOT-89, 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 25pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 210 MHz. Funktion: Io-sat. Max hFE-forstærkning: 270. Minimum hFE-forstærkning: 120. bemærk: serigrafi/SMD kode DK. Mærkning på kabinettet: DK. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.13V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1797. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 50mA, 1200V. Kollektorstrøm: 50mA. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 5.5 MHz. Funktion: TV Dynamic Focus-applikationer. bemærk: Højspændingskoblingsapplikationer. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: TO-220F

NPN transistor, 5A, 80V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI NF-E. Pd (Strømafledning, maks.) ): 55W. Type transistor: NPN. bemærk: (F). Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1803

NPN transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 1500V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: MONITOR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 6A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 1500V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PFM. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Kompatibilitet: CVM4967A. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Display-HA, Hi-res. Max hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 16A. Ækvivalenter: SAMSUNG 891 464744AA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret . tf (maks.): 0.4us. Type transistor: NPN. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 6V. Spec info: MONITOR

NPN transistor, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 10A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Display-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

NPN transistor, 7A, 600V. Kollektorstrøm: 7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: VGA skærm

NPN transistor, 7A, TO-3FP, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 7A. Hus (i henhold til datablad): TO-3FP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 7A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), TO3PML, 800V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Hus (i henhold til datablad): TO3PML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Max hFE-forstærkning: 8:1. Minimum hFE-forstærkning: 3. Ic (puls): 16A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . Tf (type): 0.1us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): 2-10R1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Omkostninger): 20pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 230V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1837. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-220FP, TO-220F, 230V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 10A, 800V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Omkostninger): 220pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

NPN transistor, 8A, TO-3PFM, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PFM. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Spec info: MONITOR

NPN transistor, 7A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 7A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Display-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR (F). CE-diode: ja

NPN transistor, 7A, 800V. Kollektorstrøm: 7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Display-HA. bemærk: MONITOR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V