NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 12A, 600V. Kollektorstrøm: 12A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Vce(sat) 3V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. bemærk: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. CE-diode: ja

NPN transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Max hFE-forstærkning: 270. Minimum hFE-forstærkning: 120. Ic (puls): 10A. Mærkning på kabinettet: C5103. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . tf (maks.): 0.3 ns. tf (min): 0.1 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 5V. Funktion: Motor driver, LED driver. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1952

NPN transistor, 10A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 10A. Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1.7 MHz. Funktion: MONITOR HA,Hi-res. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 20A. Mærkning på kabinettet: C5129. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.15us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: faldtid 0.15..03us (64kHz). CE-diode: ja

NPN transistor, 10A, 600V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . bemærk: MONITOR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Funktion: HA, Hi-res. CE-diode: ja

NPN transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Kollektorstrøm: 20A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264 ( 2-21F2A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1.7 MHz. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 40A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Spec info: Monitor -HA

NPN transistor, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.15us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 5V. Funktion: Horizontal Deflection Output, high speed Switch

NPN transistor, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: hurtig betjening, til vandret afbøjning (TV). Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: C5149. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.5us. tf (min): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Spec info: Triple Diffused MESA Type

NPN transistor, 10A, 700V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: VCE(sat) 3V max. bemærk: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Spec info: TO-3P (Plastic). CE-diode: ja

NPN transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 50. Mærkning på kabinettet: C5171. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type . Type transistor: NPN. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.16V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1930. Funktion: TV, SL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 8A, 120V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1940

NPN transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1B. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Omkostninger): 170pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Mærkning på kabinettet: C5198 O. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 140V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1941. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Omkostninger): 200pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Mærkning på kabinettet: C5200 (Q). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 230V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1943. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 230V, 15A, TO-264. Collector-Emitter Spænding VCEO: 230V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-264. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Funktion: HI-FI effektforstærker. Effekt: 150W

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Omkostninger): 200pF. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 5. Mærkning på kabinettet: C5242. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 230V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1962. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1700V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TOP-3L. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 12:1. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffusion mesa type . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.12us. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 6V

NPN transistor, 12A, 800V. Kollektorstrøm: 12A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Display-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR. CE-diode: ja

NPN transistor, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-modstand: 43 Ohms. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tf (type): 0.1 ns. tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V

NPN transistor, 10A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 10A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Til vandret afbøjning med høj opløsning . Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 25A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Spec info: Display-HA MONITOR. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 20A, 800V. Kollektorstrøm: 20A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: 8.729.033.99. CE-diode: ja

NPN transistor, 15A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 15A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 35A. Mærkning på kabinettet: C5302. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: hurtig hastighed (tf=100ns typ)

NPN transistor, PCB-lodning , D35/B, 20mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D35/B. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.1W

NPN transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1987. CE-diode: ja

NPN transistor, 150mA, TO-92, TO-92S, 50V. Kollektorstrøm: 150mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92S. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. Ic (puls): 400mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA608. CE-diode: ja

NPN transistor, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 4.3. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: C5386. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.15us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res