NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 10A, 600V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: VCE(sat) 3V max. bemærk: Triple Diffused MESA Type . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)

NPN transistor, 14A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 14A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 64kHz. Funktion: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Ic (puls): 28A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: VCE(sat) max. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 14A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 14A. Hus (i henhold til datablad): TO-3FP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Omkostninger): 190pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: HA, Hi-res. Ic (puls): 28A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tf (type): 0.15us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: fH--64KHz. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 8A, TO-3PFM, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PFM. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 64kHz. Funktion: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 16A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused

NPN transistor, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PFM. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Horisontal afbøjningsudgang. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: C5449. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.15us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 6V

NPN transistor, 70mA, SSFP 1.4x0.8x0.6mm, 10V. Kollektorstrøm: 70mA. Hus (i henhold til datablad): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Kollektor/emitterspænding Vceo: 10V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 90. Mærkning på kabinettet: LN. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.1W. Type transistor: NPN. vcbo: 20V. Spec info: serigrafi/SMD-kode LN

NPN transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1500V. Kollektorstrøm: 17A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TOP-3L. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 12:1. Minimum hFE-forstærkning: 6. Ic (puls): 30A. Mærkning på kabinettet: C5583. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Funktion: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: Triple diffusion mesa type

NPN transistor, 15A, 800V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hi-res, monitor 19. bemærk: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Spec info: Triple diffusion mesa tipe

NPN transistor, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 12A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PMLH. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Høj hastighed. Max hFE-forstærkning: 11. Minimum hFE-forstærkning: 3. Ic (puls): 36A. Mærkning på kabinettet: C5696. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 85W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.3us. Type transistor: NPN. vcbo: 1600V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V. BE-modstand: ja . CE-diode: ja

NPN transistor, 8A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PMLH. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Max hFE-forstærkning: 7. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: C5698. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V. Funktion: høj hastighed, CTV-HA

NPN transistor, PCB-lodning , TO-251, 7.5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-251. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7.5A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 400 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 15W

NPN transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 400 MHz. Funktion: DC-DC konverter, TFT strømforsyning. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 200. Ic (puls): 7.5A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . tf (maks.): 35 ns. tf (min): 35 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.135V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA2039

NPN transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Konditioneringsenhed: 100dB. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC konverter, TFT strømforsyning. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 200. Ic (puls): 11A. Mærkning på kabinettet: C5707. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 25 ns. tf (min): 25 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.11V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA2040. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC konverter, TFT strømforsyning. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 200. Ic (puls): 11A. Mærkning på kabinettet: C5707T. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan siliciumtransistor . tf (maks.): 25 ns. tf (min): 25 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.11V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA2040FA

NPN transistor, 21A, 700V. Kollektorstrøm: 21A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. bemærk: Vce(sat) 3Vmax

NPN transistor, 20A, 800V. Kollektorstrøm: 20A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. bemærk: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Type transistor: NPN. vcbo: 1600V. Spec info: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor

NPN transistor, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 12A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: C5803. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V

NPN transistor, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Kollektorstrøm: 22A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): 2-21F2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: Til vandret afbøjning i høj opløsning, HD TV. Max hFE-forstærkning: 60. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 44A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Kollektorstrøm: 23A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): 2-21F2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: Til vandret afbøjning i høj opløsning, HD TV. Max hFE-forstærkning: 55. Minimum hFE-forstærkning: 4.5. Ic (puls): 46A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 210W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.15us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CRT-HA (F). Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 20A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 20A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PMLH. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Max hFE-forstærkning: 15. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 40A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications

NPN transistor, 15A, TO-220, TO-220F-3SG, 50V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220F-3SG. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 85pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 195 MHz. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 200. Ic (puls): 20A. Mærkning på kabinettet: C6082. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 23W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V. Funktion: Relædrivere, lampedrivere, motordrivere. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA2210. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 200mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V/30V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/25V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor, 0.03A, 15V. Kollektorstrøm: 0.03A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 600 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.12W. Type transistor: NPN