NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 6A, SOT-82, 100V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: SOT-82. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. bemærk: >750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 4A, TO-126, 22V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 4A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 22V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 4A, 45V, TO-126, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 4A. Collector-Emitter Spænding VCEO: 45V. Hus: TO-126. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Polaritet: NPN. Effekt: 36W. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 130. Minimum hFE-forstærkning: 30. Ic (puls): 7A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD438

NPN transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 45V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 4A, SOT-32, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 4A. Hus (i henhold til datablad): SOT-32. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 130. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 7A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Spec info: komplementær transistor (par) BD440

NPN transistor, 80V, 4A, TO-126. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126. Polaritet: NPN. Effekt: 36W

NPN transistor, 4A, 80V, 4A, TO-126, TO-126F, TO-126F, 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Producentens mærkning: BD441G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 36W. Polaritet: NPN. Effekt: 36W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD649. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 62.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, 45V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD677. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD677A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD677AG. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD679. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 4A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.8V. BE-modstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: komplementær transistor (par) BD680A. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 4A. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Hus: TO-126. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Type: Darlington transistor. Indbygget diode: ja . Effekt: 40W. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Max hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD682

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD681G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 4A, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD809G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 90W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Power Lineær og Switching. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. BE-modstand: 100V. C (i): 15A. Omkostninger): 90W. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD912. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD912. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 3A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-264. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDP949. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 3W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: 1. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Funktion: hFE 1000. Spec info: komplementær transistor (par) BDT64C. BE-diode: ja . CE-diode: ja

NPN transistor, PCB-lodning , TO-247 , 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDV65BG. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 15A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDW42G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 85W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , SOT-93, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-93. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): SOT-93. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDW83C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C