NPN bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 3pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 250. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: 6C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: SMD 6C. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6g. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6g. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 65V, 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): TO-236AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 65V. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: SMD 1B. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. C (i): 11pF. Omkostninger): 2pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Mærkning på kabinettet: 1B

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SC-70, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SC-70. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 65V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 65V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Mærkning på kabinettet: 8AC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Spec info: SMD 8AC. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 250mV. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 600mV. Vebo: 6V

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 1.5pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 220. Minimum hFE-forstærkning: 110. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 1E. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode 1E. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.09V

NPN transistor, SOT23, 45V. Hus: SOT23. Collector-Emitter Spænding VCEO: 45V. Type: transistor til laveffektapplikationer. Polaritet: NPN. Effekt: 0.25W. Collector-basis spænding VCBO: 50V. Monteringstype: SMD. Båndbredde MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 200. Nuværende Max 1: 0.1A. Serie: BC

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1F. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1F. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-363 ( SC-88 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-363. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: DUAL NPN & PNP. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 13. Antal terminaler: 6. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode 13. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP & NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SC-88, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SC-88. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: par NPN- og PNP-transistorer. Hus (JEDEC-standard): SOT-363. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 13. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.22W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 4.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 250. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.225W. Spec info: serigrafi/SMD-kode 1G. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 6V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1g. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode 1K. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Modstand B: transistor til laveffektapplikationer. BE-diode: NPN. BE-modstand: SOT23. C (i): 0.25W. Omkostninger): 30V. CE-diode: 30V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1g. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1g. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1Ls. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.33W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C