NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 24A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 800V. Kollektorstrøm: 24A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218FX. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CTV-HA hi-res (F). Ic (puls): 36A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Spec info: 0.17...0.31us. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 250 ns. tf (min): 180 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.95V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 10V

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: HA, hi-def. bemærk: 0.2. Spec info: MONITOR

NPN transistor. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: HA, hi-def. bemærk: 0.2. Spec info: MONITOR

NPN transistor, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Switching med høj hastighed. Max hFE-forstærkning: 47. Minimum hFE-forstærkning: 29. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Spec info: Epitaksial plan transistor . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. vcbo: 450V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Vebo: 10V

NPN transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126ML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 160...320. Spec info: komplementær transistor (par) HSB1109. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Kollektorstrøm: 500mA. Hus: TO-5. Hus (i henhold til datablad): TO-5. Kollektor/emitterspænding Vceo: 75V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 35...125. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Spec info: Lo-Pwr BJT. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Spec info: TO-92M. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Spec info: TO-92M. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Spec info: TO-92M. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.7A, 140V. Kollektorstrøm: 0.7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 2.6pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Type transistor: NPN. vcbo: 160V

NPN transistor, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Kollektorstrøm: 200mA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: Farve TV Chroma Output (VID-L). Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 70. Mærkning på kabinettet: C1507 O. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 7V

NPN transistor, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Kollektorstrøm: 200mA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: Farve TV Chroma Output (VID-L). Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Mærkning på kabinettet: C1507 Y. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 7V

NPN transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 3L (AMMO). Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 300. Mærkning på kabinettet: C1845. Ækvivalenter: 2SC1845. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) KSA992. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.07V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 0.7A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 50pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: TV lodret afbøjningsudgang. Max hFE-forstærkning: 125. Minimum hFE-forstærkning: 60. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) KSA940. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 50pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: TV lodret afbøjningsudgang. Max hFE-forstærkning: 125. Minimum hFE-forstærkning: 40. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) KSA940. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 150V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorstrøm: 0.05A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92L (9mm magas). Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 70. Mærkning på kabinettet: C2310 O. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorstrøm: 0.05A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92L (9mm magas). Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Mærkning på kabinettet: C2310 Y. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 2A, 30 v. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Modstand B: 10. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 10. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Modstand B: 10. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 10. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: 0501-000367. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: 9 mm højde. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Kollektorstrøm: 0.7A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 60pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: hFE 120...240. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 80V

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 60pF. CE-diode: NINCS. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: Switching med høj hastighed. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 10A. Mærkning på kabinettet: KSC5027 (O). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: 0...+150°C. vcbo: 1100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 60pF. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: Switching med høj hastighed. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.5us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: 0...+150°C. vcbo: 1100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 7V

NPN transistor, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 900V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 900V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 10. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Dyn Focus. Pd (Strømafledning, maks.) ): 4W. Spec info: HV switch. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 8A, 800V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 10. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . bemærk: MONITOR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V