NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SC-59. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 10k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 10k Ohms. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: DTR.. Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: 24. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode 24. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Effekt: 0.2W. Type transistor: NPN. vcbo: 50V

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 4.7k Ohms. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Transistor med indbygget forspændingsmodstand. Minimum hFE-forstærkning: 200. bemærk: serigrafi/SMD-kode 33. Mærkning på kabinettet: *33, P33, t33, w33. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Produktionsdato: 2014/49. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: 18. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 10V

NPN transistor, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrøm: 0.03A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 47k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 47k Ohms. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Mærkning på kabinettet: 26. Spec info: serigrafi/SMD-kode 26. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, SC-72. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SC-72. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Effekt: 0.3W. BE-modstand: 47k+22k Ohms. Maksimal frekvens: 250MHz

NPN transistor, 100A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Kollektorstrøm: 100A. Hus: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hus (i henhold til datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Power Darlington NPN Transistor Modul. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 300. Ic (puls): 150A. bemærk: Skruet. Antal terminaler: 4. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 225W. RoHS: ja . Spec info: Single Dual Emitter. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.6us. tf (min): 0.35us. Type transistor: NPN & NPN. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.25V. Vebo: 7V

NPN transistor, ISOTOP, 84A. Hus: ISOTOP. Samlerstrøm Ic [A], max.: 84A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. konfiguration: Skruet. Antal terminaler: 4. Producentens mærkning: ESM6045DV. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 450V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 250W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændingsfarveskærm vandret afbøjning . Max hFE-forstærkning: 8:1. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 20A. bemærk: skærmtrykt. Mærkning på kabinettet: J6810. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 6V

NPN transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højhastighedsskift. Max hFE-forstærkning: 10. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 20A. Mærkning på kabinettet: J6810A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tf (type): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 1550V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 6V

NPN transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. CE-diode: ja . Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: High V Color Display Hor Defl (med dæmperdiode) . Max hFE-forstærkning: 8:1. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 20A. bemærk: screentrykt J6810. Mærkning på kabinettet: J6810D. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 6V

NPN transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. CE-diode: ja . Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændingsfarveskærm vandret afbøjning . Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 24A. bemærk: screentrykt J6812. Mærkning på kabinettet: J6812. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 6V

NPN transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorstrøm: 17A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Mærkning på kabinettet: J4315O. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) FJL4215-O. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. vcbo: 250V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN transistor, 20A, TO-247 , TO-247 , 750V. Kollektorstrøm: 20A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: 19 tommer skærm. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Spec info: VEBO 6V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V

NPN transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Kollektorstrøm: 20A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændingsfarveskærm vandret afbøjning . Max hFE-forstærkning: 8.5. Minimum hFE-forstærkning: 5.5. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.15us. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 6V

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Minimum hFE-forstærkning: 30. Ic (puls): 300mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja . Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 10V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 110pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 60. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: J13007. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 9V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 110pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 28. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: J13007-1. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 9V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 110pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 39. Minimum hFE-forstærkning: 26. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: J13007-2. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 9V

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 180pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 17. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: J13009. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 9V

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 180pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 28. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: J13009-2. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 9V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 2A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 619. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 165 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: hFE 5000. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) FP1016. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 0.3A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FZT458. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 400V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 7A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FZT849. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 3W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1