NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. CE-diode: ja . Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændingsfarveskærm vandret afbøjning . Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 24A. bemærk: screentrykt J6812. Mærkning på kabinettet: J6812. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 6V

NPN transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorstrøm: 17A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Mærkning på kabinettet: J4315O. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) FJL4215-O. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. vcbo: 250V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN transistor, 20A, TO-247 , TO-247 , 750V. Kollektorstrøm: 20A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: 19 tommer skærm. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Spec info: VEBO 6V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V

NPN transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Kollektorstrøm: 20A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændingsfarveskærm vandret afbøjning . Max hFE-forstærkning: 8.5. Minimum hFE-forstærkning: 5.5. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.15us. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 6V

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Minimum hFE-forstærkning: 30. Ic (puls): 300mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja . Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 10V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 110pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 60. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: J13007. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 9V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 110pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 28. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: J13007-1. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 9V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 110pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 39. Minimum hFE-forstærkning: 26. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: J13007-2. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 9V

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 180pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 17. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: J13009. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 9V

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 180pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 28. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: J13009-2. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 9V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 2A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 619. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 165 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: hFE 5000. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) FP1016. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 0.3A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FZT458. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 400V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 7A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FZT849. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 3W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 24A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 800V. Kollektorstrøm: 24A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218FX. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CTV-HA hi-res (F). Ic (puls): 36A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Spec info: 0.17...0.31us. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 250 ns. tf (min): 180 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.95V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 10V

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: HA, hi-def. bemærk: 0.2. Spec info: MONITOR

NPN transistor. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: HA, hi-def. bemærk: 0.2. Spec info: MONITOR

NPN transistor, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Switching med høj hastighed. Max hFE-forstærkning: 47. Minimum hFE-forstærkning: 29. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Spec info: Epitaksial plan transistor . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. vcbo: 450V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Vebo: 10V

NPN transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126ML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 160...320. Spec info: komplementær transistor (par) HSB1109. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Kollektorstrøm: 500mA. Hus: TO-5. Hus (i henhold til datablad): TO-5. Kollektor/emitterspænding Vceo: 75V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 35...125. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Spec info: Lo-Pwr BJT. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Spec info: TO-92M. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Spec info: TO-92M. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Spec info: TO-92M. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.7A, 140V. Kollektorstrøm: 0.7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 2.6pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Type transistor: NPN. vcbo: 160V