NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: TO-3PF (SOT399). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 10. CE-diode: ja . Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Max hFE-forstærkning: 22. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: C5386. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Spec info: VEBO 6V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 4.2V. Vebo: 6V

NPN transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 80pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CRT-HA (F). Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Spec info: Monitor 68KHz. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 90pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CRT-HA (F). Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CRT-HA (F). Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: C5803. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V

NPN transistor, 0.03A, 35V. Kollektorstrøm: 0.03A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 35V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 12pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Spec info: 12149301860. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.03A, 35V. Kollektorstrøm: 0.03A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 35V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Spec info: 62137301900. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.05A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.05A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. bemærk: hFE 350...700. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Spec info: 0501-000394. Type transistor: NPN

NPN transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 150mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. pinout: 1. C (i): 1.5pF. Omkostninger): 11pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) KSA733. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 150mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. pinout: 1. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) KSA733. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 35pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 150. Mærkning på kabinettet: D2012-G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Spec info: komplementær transistor (par) KSB1366. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V

NPN transistor, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Omkostninger): 20pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Vebo: 6V

NPN transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændingsfarveskærm vandret afbøjning . Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Spec info: 0.1...0.3us. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 6V

NPN transistor, 5A, 100V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Spec info: 12149-401-070. Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 90 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Spec info: SD882-Y. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 180pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændingsafbrydertilstand . Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 24A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Spec info: Switching med høj hastighed. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 9V

NPN transistor, 4A, 60V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . bemærk: b>750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Spec info: 0503-000001. Type transistor: NPN

NPN transistor, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 600mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 8pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 285 ns. tf (min): 35 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 75V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 6V

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SW. Mærkning på kabinettet: R1002. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 50V

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 22k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 22k Ohms. Omkostninger): 100pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: SW. Mærkning på kabinettet: R1003. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: +55...+150°C. vcbo: 50V. Vebo: 10V

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SW. Mærkning på kabinettet: R1007. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 50V

NPN transistor, 0.1A, 40V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, 40V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, 40V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S. bemærk: 0.3W. Type transistor: NPN

NPN transistor, TO-92, TO-92. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 0.8pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Antal terminaler: 3. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 20mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 800 MHz. Funktion: FM-V/M/O. Max hFE-forstærkning: 198. Minimum hFE-forstærkning: 40. Mærkning på kabinettet: 15.8k Ohms. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Vebo: 4 v