Toshiba 2SK363 N-Kanal MOSFET 3.7 Ohm TO-92

Teknisk beskrivelse af produktet (2SK363):

N-Kanal MOSFET fra Toshiba, model 2SK363. Drain-Source-lækstrøm Idss: 100uA. On-modstand Rds On: 3.7 Ohm. Hus (ifølge datablad): TO-92. Hus: TO-92. RoHS-kompatibel: ja. Antal forbindelser: 3. Montering/installation: Gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Teknologi: Felteffekt (TT-MOSIV). Gate-Source-beskyttelse: ja. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 125 ns. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 60 ns. Antal pr. hus: 1. Indgangskapacitet C(in): 700pF. Udgangskapacitet C(out): 75pF. Minimum Diode Reverse Recovery Time Trr: 850 ns. Drain-Source-beskyttelse: Diode.