Toshiba 2SK3878 N-Kanal MOSFET 900V 9A TO-3P

Teknisk beskrivelse af produktet (2SK3878):

Spænding Vds(max): 900V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 9A. ID (T=100°C): 5.3A. On-modstand Rds On: 1 Ohm. Hus (ifølge datablad): TO-3P. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spec. info: Vth=2.0 til 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Antal terminaler: 3. Montering/installation: Gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Anvendelser til switching-regulatorer. G-S Beskyttelse: ja. Td(off): 120ns. IDss (min): 1uA. Td(on): 65 ns. Antal pr. hus: 1. Id(imp): 27A. Mærkning på huset: K3878. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 2200pF. C(out): 45pF. Trr Diode (Min.): 1.4us. Pd (Effekttab, maks.): 150W. Konditionering: plastrør. Drain-source beskyttelse: diode. Gate/source spænding Vgs: 30 V. Vgs(th) max.: 4 V. Konditioneringsenhed: 25