Toshiba 2SK3936 N-Kanal Power MOSFET 500V 23A TO-3PN

Teknisk beskrivelse af produktet (2SK3936):

N-Kanal Power MOSFET fra Toshiba, model 2SK3936. Maksimal Drain-Source-spænding Vds(max): 500V. Maksimal Drain-Source-lækstrøm Idss: 500uA. Drainstrøm Id (T=25°C): 23A. On-modstand Rds On: 0.20 Ohm. Hus (ifølge datablad): TO-3P. Hus: TO-3PN (2-16C1B). RoHS-kompatibel: ja. Antal forbindelser: 3. Montering/installation: Gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Switching Regulator. Teknologi: Felteffekt MOS-type (MACH-II-MOS VI). Gate-Source-beskyttelse: ja. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 80 ns. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 45 ns. Antal pr. hus: 1. Puls-drainstrøm Id(imp): 92A. Minimum Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th): 2V. Indgangskapacitet C(in): 4250pF. Udgangskapacitet C(out): 420pF. Minimum Diode Reverse Recovery Time Trr: 380 ns. Maksimal effektafledning: 150W. Drain-Source-beskyttelse: Diode. Gate-Source-spænding Vgs: 30V. Maksimal Gate-Emitter-spænding VGE(th): 4V. Temperatur: +150°C.