Transistorer

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 300mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 300mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W

Halvledermateriale: silicium . FT: 550 MHz. Kollektorstrøm: 0.1A. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 35V. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 2A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1us. tf (min): 1us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 175 MHz. Max hFE-forstærkning: 180. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 0.3A. Temperatur: +135°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epytaxial Planar Type. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 17V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: RF-forstærkere på VHF-bånd

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V/25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: D18/C. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V/32V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 700mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: E-33. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V/25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA940. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 27 MHz. Kollektorstrøm: 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 6W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 75V. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

Halvledermateriale: silicium . FT: 120MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 900mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA966. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA968

Omkostninger): 3pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Lav støj, lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 700. Minimum hFE-forstærkning: 350. Kollektorstrøm: 0.1A. Mærkning på kabinettet: C2240BL. Temperatur: +125°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA970BL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 3pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 0.1A. Mærkning på kabinettet: C224GR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA970GR. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W

Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 35. Kollektorstrøm: 1.5A. Ic (puls): 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorstrøm: 0.1A. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-236. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

Omkostninger): 30pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 100MHz. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 60. Kollektorstrøm: 1.5A. Ic (puls): 3A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Højspændingsskift, AF-effektforstærker. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1011. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V/100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

Omkostninger): 20pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 160. Kollektorstrøm: 1A. Mærkning på kabinettet: C2383 Y. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1013. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Max hFE-forstærkning: 390. Minimum hFE-forstærkning: 180. Kollektorstrøm: 0.15A. Mærkning på kabinettet: BQ. Temperatur: +155°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 400mV. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode BQ. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1037. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: P22/U. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W