Transistorer

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: D8A/C. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/19V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: D6/C. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 150mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 150mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: TV-NF/E. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1249. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. vcbo: 900V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 3A. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.7us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. vcbo: 900V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrøm: 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PB. Type transistor: NPN. vcbo: 900V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SC3157. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1265

Halvledermateriale: silicium . FT: 550 MHz. Kollektorstrøm: 0.02A. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 660 MHz. Funktion: TV-ZF. Kollektorstrøm: 0.05A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: generelt formål. Kollektorstrøm: 0.15A. Mærkning på kabinettet: C3198. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Modstand B: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-92. Omkostninger): 3.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 700. Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 150mA. Temperatur: +125°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: erstatning KTA1267. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Hi-Beta, lo-sat.. Minimum hFE-forstærkning: 500. Kollektorstrøm: 2A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type . tf (maks.): 1.2us. tf (min): 1us. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. bemærk: 9mm. Mængde pr tilfælde: 1

Omkostninger): 250pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 230V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1294. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Kollektorstrøm: 17A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1295

Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Kollektorstrøm: 17A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: med dette etui kun så længe lager haves!

Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Kollektorstrøm: 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1301

Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1302. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Kollektorstrøm: 14A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1303

Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Hus: TO-220FP. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 5V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1306

Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 8A. Mærkning på kabinettet: C3303. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.1us. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 8A. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( D-PAK ). Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 8V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: NF/SL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: Højspændingskoblingsapplikationer. Kollektorstrøm: 0.7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.7W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. bemærk: hFE 140...280. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1319

Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: NPN. vcbo: 900V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. Mængde pr tilfælde: 1