Transistorer

Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Funktion: CSC2342. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: højde 5 mm

Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 5A. Mærkning på kabinettet: C2500. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: NPN epitaksial siliciumtransistor. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: NPN. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 90V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 200V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 17A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W

Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO3P ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. vcbo: 450V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: D17/C. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 150V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: D8/C. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: D6/C. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V/30V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.1W

Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Kollektorstrøm: 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Funktion: hFE 100...200. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 19pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 155 MHz. Funktion: HF. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 160. Kollektorstrøm: 1.2A. Ic (puls): 2.5A. Mærkning på kabinettet: C2690A Y. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1220A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 1.8pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Kollektorstrøm: 50mA. Ic (puls): 800mA. Mærkning på kabinettet: C2705. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type transistor: NPN. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. bemærk: 9mm. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1145. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 700. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 0.1A. Mærkning på kabinettet: DG. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150mW. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 300mV. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode DG. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1163. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-103. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-236. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 180V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: Til Muting og Switching. Max hFE-forstærkning: 1200. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 300mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 400mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 130 ns. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.042V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Vebo: 25V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 180V/160V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 70mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SC2910. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 180V/160V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 70mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 400. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.2us. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: NPN. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.08V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. driftstemperaturområde min (°C): 70mA. driftstemperaturområde maks (°C): 140mA. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1208

Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Hurtig skiftehastighed. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 0.14A. Ic (puls): 0.2A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1209. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 150mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. Kollektorstrøm: 7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: D18/C. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V/100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1W

Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: Højstrømsskift. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 5A. Mærkning på kabinettet: C3074. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 2. bemærk: for at skifte applikation. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: komplementær transistor (par) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V