Transistorer

Halvledermateriale: silicium . FT: 270 MHz. Kollektorstrøm: 0.7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Funktion: hFE1 1500, hFE2 600 . Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V

RoHS: ja . Komponentfamilie: dobbelt NPN bipolær transistor. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SMV-5. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 5. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 0.15A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 80 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W

Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Funktion: (F). Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1200V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 7V. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Funktion: Switching Power Transistor. Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. vcbo: 1200V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: HFX-serien

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. vcbo: 1200V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrøm: 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1633. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: VHF bredbåndsforstærker. Kollektorstrøm: 0.3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v

Omkostninger): 35pF. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: Højspændings NPN-transistor til audio og generelle formål.. Minimum hFE-forstærkning: 60. Kollektorstrøm: 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): FM20 (TO220F). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 200V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1668. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1671

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. vcbo: 180V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1672

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 85W. Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1673

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: SMPS. Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Type transistor: NPN. vcbo: 1100V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Funktion: NF/L. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1695

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Funktion: NF/L. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1695

Omkostninger): 30pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 40 MHz. Funktion: High hFE, LOW Vce(sat). Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Teknologi: NPN Triple Diffused Planar Transistor. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): FM20 (TO220F). Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 6 MHz. Funktion: Højspændings switchihg transistor. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 3A. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. vcbo: 900V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 550V. Vebo: 7V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: (F). Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Spec info: MONITOR

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: D35/B. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

Omkostninger): 14pF. Konditioneringsenhed: 2500. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 1.5A. Ic (puls): 2.5A. Mærkning på kabinettet: 12.9k Ohms. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 80 ns. tf (min): 80 ns. Hus: SC-71. Hus (i henhold til datablad): SC-71. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.13V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1770. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 10mA. bemærk: Ic--10mA/30mApp. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Funktion: dynamisk fokus, højspændingsskift. Spec info: TO-220FI (Forming)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 10mA. bemærk: Ic--10mA/30mApp. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Type transistor: NPN. vcbo: 2000V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1800V. Funktion: dynamisk fokus. Spec info: TO-220FI

Omkostninger): 25pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 210 MHz. Funktion: Io-sat. Max hFE-forstærkning: 270. Minimum hFE-forstærkning: 120. Kollektorstrøm: 2A. bemærk: serigrafi/SMD kode DK. Mærkning på kabinettet: DK. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.13V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1797. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 5.5 MHz. Funktion: TV Dynamic Focus-applikationer. Kollektorstrøm: 50mA. bemærk: Højspændingskoblingsapplikationer. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Spec info: TO-220F

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI NF-E. Kollektorstrøm: 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 55W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. bemærk: (F). Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1803