Transistorer

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: MONITOR. Kollektorstrøm: 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V

Mængde pr tilfælde: 1. Kompatibilitet: CVM4967A. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Display-HA, Hi-res. Max hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 6A. Ic (puls): 16A. Ækvivalenter: SAMSUNG 891 464744AA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret . tf (maks.): 0.4us. Hus: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PFM. Type transistor: NPN. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Vebo: 6V. Spec info: MONITOR

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Display-HA. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Kollektorstrøm: 7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Spec info: VGA skærm

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Kollektorstrøm: 7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3FP. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Max hFE-forstærkning: 8:1. Minimum hFE-forstærkning: 3. Kollektorstrøm: 7A. Ic (puls): 16A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . Tf (type): 0.1us. Hus: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Hus (i henhold til datablad): TO3PML. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 20pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): 2-10R1A. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 230V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1837. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V

Omkostninger): 220pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Spec info: MONITOR

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PFM. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Spec info: MONITOR. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Display-HA. Kollektorstrøm: 7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Spec info: MONITOR (F). Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Display-HA. Kollektorstrøm: 7A. bemærk: MONITOR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Vce(sat) 3V. Kollektorstrøm: 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. bemærk: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Max hFE-forstærkning: 270. Minimum hFE-forstærkning: 120. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 10A. Mærkning på kabinettet: C5103. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . tf (maks.): 0.3 ns. tf (min): 0.1 ns. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Funktion: Motor driver, LED driver. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1952

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1.7 MHz. Funktion: MONITOR HA,Hi-res. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 20A. Mærkning på kabinettet: C5129. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.15us. Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: faldtid 0.15..03us (64kHz). Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 10A. bemærk: MONITOR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Funktion: HA, Hi-res. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1.7 MHz. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 20A. Ic (puls): 40A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264 ( 2-21F2A ). Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Spec info: Monitor -HA

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.15us. Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Vebo: 5V. Funktion: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: hurtig betjening, til vandret afbøjning (TV). Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: C5149. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.5us. tf (min): 0.2us. Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Spec info: Triple Diffused MESA Type . Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: VCE(sat) 3V max. Kollektorstrøm: 10A. bemærk: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Spec info: TO-3P (Plastic). CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 50. Kollektorstrøm: 2A. Mærkning på kabinettet: C5171. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.16V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1930. Funktion: TV, SL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1940

Omkostninger): 170pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Kollektorstrøm: 10A. Mærkning på kabinettet: C5198 O. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1B. Type transistor: NPN. vcbo: 140V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1941. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 200pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Kollektorstrøm: 15A. Mærkning på kabinettet: C5200 (Q). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 230V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1943. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Funktion: HI-FI effektforstærker. Collector-Emitter Spænding VCEO: 230V. Kollektorstrøm: 15A. Effekt: 150W. Hus: TO-264