Transistorer

Omkostninger): 200pF. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 15A. Mærkning på kabinettet: C5242. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1A. Type transistor: NPN. vcbo: 230V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1962. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 12:1. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 15A. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffusion mesa type . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.12us. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TOP-3L. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1700V. Vebo: 6V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Display-HA. Kollektorstrøm: 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. CE-diode: ja

BE-modstand: 43 Ohms. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tf (type): 0.1 ns. tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 6V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Til vandret afbøjning med høj opløsning . Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 25A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Spec info: Display-HA MONITOR. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 20A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Spec info: 8.729.033.99. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 4. Kollektorstrøm: 15A. Ic (puls): 35A. Mærkning på kabinettet: C5302. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: hurtig hastighed (tf=100ns typ). Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: D35/B. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.1W

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1987. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. Kollektorstrøm: 150mA. Ic (puls): 400mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92S. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA608. CE-diode: ja

Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 4.3. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: C5386. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.15us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: VCE(sat) 3V max. Kollektorstrøm: 10A. bemærk: Triple Diffused MESA Type . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 64kHz. Funktion: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Kollektorstrøm: 14A. Ic (puls): 28A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Spec info: VCE(sat) max. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 190pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: HA, Hi-res. Kollektorstrøm: 14A. Ic (puls): 28A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tf (type): 0.15us. Hus (i henhold til datablad): TO-3FP. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: fH--64KHz. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 64kHz. Funktion: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PFM. Type transistor: NPN. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Horisontal afbøjningsudgang. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 12A. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: C5449. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.15us. Hus: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PFM. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Vebo: 6V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 90. Kollektorstrøm: 70mA. Mærkning på kabinettet: LN. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.1W. Hus (i henhold til datablad): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Type transistor: NPN. vcbo: 20V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 10V. Spec info: serigrafi/SMD-kode LN

Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 12:1. Minimum hFE-forstærkning: 6. Kollektorstrøm: 17A. Ic (puls): 30A. Mærkning på kabinettet: C5583. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.2us. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TOP-3L. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Funktion: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: Triple diffusion mesa type

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hi-res, monitor 19. Kollektorstrøm: 15A. bemærk: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Spec info: Triple diffusion mesa tipe

Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Høj hastighed. Max hFE-forstærkning: 11. Minimum hFE-forstærkning: 3. Kollektorstrøm: 12A. Ic (puls): 36A. Mærkning på kabinettet: C5696. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 85W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.3us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PMLH. Type transistor: NPN. vcbo: 1600V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 5V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-modstand: ja . CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Max hFE-forstærkning: 7. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: C5698. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PMLH. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 5V. Funktion: høj hastighed, CTV-HA. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-251. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7.5A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 400 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 15W

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 400 MHz. Funktion: DC-DC konverter, TFT strømforsyning. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 7.5A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . tf (maks.): 35 ns. tf (min): 35 ns. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.135V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA2039

Konditioneringsenhed: 100dB. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC konverter, TFT strømforsyning. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 11A. Mærkning på kabinettet: C5707. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 25 ns. tf (min): 25 ns. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.11V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA2040. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS