Transistorer

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Kollektorstrøm: 0.1A. bemærk: >120. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BCW69R. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: T1. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: U1. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Omkostninger): 12pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NPN-transistor, AF-applikationer og skift. Max hFE-forstærkning: 63. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 0.8A. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: EKs. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...150°C. vcbo: 125V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BCX42. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 12pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: PNP transistor, til AF og skiftende applikationer. Max hFE-forstærkning: 63. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 0.8A. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: DKs. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...150°C. vcbo: 125V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BCX41. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: DKs. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 125V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.33W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Kollektorstrøm: 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Spec info: serigrafi/SMD-kode AA

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (JEDEC-standard): TO-243. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: AD. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (JEDEC-standard): TO-243. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: AM. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: lydforstærkere. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 1A. Ic (puls): 1.5A. Mærkning på kabinettet: AH. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode AH

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: lydforstærkere. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 63. Kollektorstrøm: 1A. Ic (puls): 1.5A. bemærk: serigrafi/SMD-kode AK. Mærkning på kabinettet: AK. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BCX56-16

RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-diode: PNP transistor. BE-modstand: PCB-lodning (SMD) . C (i): SOT-89. Omkostninger): TO-243. CE-diode: overflademonteret komponent (SMD) . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: lydforstærkere. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 160. Kollektorstrøm: 1A. Ic (puls): 1.5A. bemærk: serigrafi/SMD-kode AL. Mærkning på kabinettet: AL. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BCX56-16

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (JEDEC-standard): TO-243. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: AL. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (JEDEC-standard): TO-243. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (JEDEC-standard): TO-243. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: bM. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Konditioneringsenhed: 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: lyd- og videoforstærkere. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 1A. Ic (puls): 1.5A. Mærkning på kabinettet: BH. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode BH

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: lyd- og videoforstærkere. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 63. Kollektorstrøm: 1A. Ic (puls): 1.5A. bemærk: serigrafi/SMD-kode BK. Mærkning på kabinettet: BK. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BCX53-10

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (JEDEC-standard): TO-243. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BL. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor . bemærk: serigrafi/SMD-kode BL. Mærkning på kabinettet: BL. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BCX53-16

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 630. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 100mA. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: AK*. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23-3. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Max hFE-forstærkning: 1000. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 100mA. Ic (puls): 200A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.34W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Type transistor: NPN. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.75V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-18. Hus (JEDEC-standard): TO-206AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BCY59-9. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Funktion: NF/S. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 18.5W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 1.5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)