Transistorer

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: Lydforstærkere og applikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1.5A. Ic (puls): 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126 plastic. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. vcbo: 45V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD139. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 12.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Kollektorstrøm: 1.5A. Ic (puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Spec info: komplementær transistor (par) BD140. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD139-10. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 12.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 1A. Effekt: 10W. Hus: TO-126 FULLPACK

RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-126. Omkostninger): SOT-32. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1.5A. Ic (puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Spec info: komplementær transistor (par) BD140-16. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1.5A. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126 plastic. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD140-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 1.5A. Effekt: 12.5W. Hus: TO-126

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 1.5A. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126 plastic. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD140-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD140. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 12.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD139. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD140-10. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 12.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Hus: TO-126. Producentens mærkning: BD140-16. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 12.5W. Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Spænding VCEO: -80V. Kollektorstrøm: -1.5A. Effekt: 12.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Spec info: komplementær transistor (par) BD139-16. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 1.5A. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD139. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 0.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO126. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 375V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD179G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.03W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 125 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD237. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Spec info: komplementær transistor (par) BD238. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Spec info: komplementær transistor (par) BD238. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD237G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-126. Omkostninger): SOT-32. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Lyd, strømlineær og omskiftningsapplikationer. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD237. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD238G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Spænding VCEO: -80V. Kollektorstrøm: -2A. Effekt: 25W. Hus: TO-126

Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Effekt: 30W. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD240C