Transistorer

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 4A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD239C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Hus: TO-220. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Kollektorstrøm: 3A. Effekt: 40W. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 115V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD242C

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 3A. Ic (puls): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 115V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD242C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 115V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD241C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD242CG. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD243C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Kollektorstrøm: 6A. Effekt: 65W. Hus: TO-220. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Komplementær effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 6A. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Spec info: komplementær transistor (par) BD244C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD243C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Konditioneringsenhed: 50. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Komplementær effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 6A. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Spec info: komplementær transistor (par) BD244C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Effekt: 65W. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD244C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 15. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD243C

Hus: TO-220. Modstand B: Power transistor. BE-modstand: -100V. C (i): -6A. Omkostninger): 65W. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 6A. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65°C...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD243C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Spec info: komplementær transistor (par) BD246C

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Spec info: komplementær transistor (par) BD246C

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Spec info: komplementær transistor (par) BD245C. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Spec info: komplementær transistor (par) BD245C. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 25A. Ic (puls): 40A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218AB. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD250C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Kollektorstrøm: 25A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Spec info: komplementær transistor (par) BD250C

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Kollektorstrøm: 25A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Spec info: komplementær transistor (par) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Kollektorstrøm: 25A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Spec info: komplementær transistor (par) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Kollektorstrøm: 25A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Spec info: komplementær transistor (par) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-93. Hus (JEDEC-standard): SOT-93. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD250C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 6A. bemærk: >750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Hus: SOT-82. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 22V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD438. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 32V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 36W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)