Transistorer

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: V-MOS. ID (T=25°C): 3.2A. Idss (maks.): 3.2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 78W. Spænding Vds (maks.): 800V. Mængde pr tilfælde: 1

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (maks.): 4.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 1.6 Ohms. Teknologi: V-MOS. Spænding Vds (maks.): 600V. Mængde pr tilfælde: 1

C (i): 734pF. Omkostninger): 300pF. Kanaltype: P. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Forstærker MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 10mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 60 ns. Td(on): 120ns. Teknologi: P-kanal MOSFET Power Transistor. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 200V. Gate / kilde spænding Vgs: 14V. Port/kildespænding (fra) max.: 1.5V. Port/kildespænding (fra) min.: 0.15V. Antal terminaler: 2. Spec info: komplementær transistor (par) BUZ901. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 2 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 600V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. On-resistance Rds On: 2 Ohms. Teknologi: TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Mængde pr tilfælde: 1

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. On-resistance Rds On: 0.9 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: V-MOS. Hus: TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Mængde pr tilfælde: 1

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. On-resistance Rds On: 0.9 Ohms. Teknologi: V-MOS. Hus: TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V

Type transistor: Power transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Spænding VCEO: 400V. Kollektorstrøm: 8A. Effekt: 80W. Hus: TO-220AB (MJE13007)

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (maks.): 52A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Field Effect Power MOSFET. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 30 v

C (i): 40pF. Omkostninger): 14pF. Kanaltype: N. Funktion: Dobbelt IGBT-transistor (isoleret). Kollektorstrøm: 200A. Ic (puls): 400A. Ic(T=100°C): 200A. Dimensioner: 108x62x31mm. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1500W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 300 ns. Td(on): 250 ns. Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): Andre. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 6V. Antal terminaler: 7. Spec info: High Power Switching. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Kollektorstrøm: 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. vcbo: 70V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Spec info: komplementær transistor (par) CSD1133

C (i): 260pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 1uA. Antal terminaler: 6. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 17W. On-resistance Rds On: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Teknologi: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Hus: WSON6. Hus (i henhold til datablad): 2 mm × 2 mm plastikkasse. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. Vgs (th) maks.: 1.8V. Vgs (th) min.: 0.9V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Omkostninger): 130pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 60. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 20A. Mærkning på kabinettet: D44H11. Ækvivalenter: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . tf (maks.): 140 ns. tf (min): 140 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) D45H11. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: D44H11G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: D44H8. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: D44H8G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 15A. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 83W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 90 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) D45VH10. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 40 MHz. Max hFE-forstærkning: 60. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 20A. Ækvivalenter: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 100 ns. tf (min): 100 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: par D44H11. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: D45H11G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 40 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: NINCS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Type transistor: PNP. vcbo: 30 v. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Vebo: 5V

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: D45H8G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 40 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Spænding VCEO: -80V. Kollektorstrøm: -15A. Effekt: 83W. Hus: TO–220AB

RoHS: ja . Enhedsfamilie: Værktøj

C (i): 37pF. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 600A. Ic (puls): 1200A. Ic(T=100°C): 600A. Dimensioner: 172x89x37mm. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3350W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): Andre. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.8V. Antal terminaler: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Funktion: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SO8. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Producentens mærkning: C3025LS. Drain-source spænding Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 1.2V/-2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 590/631pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. Komponentfamilie: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C