Transistorer

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 301. Drain-source spænding Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 301. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 9.5pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 303. Drain-source spænding Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 1V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 6 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 63pF. Omkostninger): 34pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1.5A. ID (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. ID (T=25°C): 0.46A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 304. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. On-resistance Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 55 ns. Td(on): 7 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 25V. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. Vgs (th) maks.: 1.5V. Vgs (th) min.: 0.65V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Driftsgatespænding så lav som 2,5V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Type transistor: IGBT transistor. Samler-emitter spænding: 1200V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3P

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3PN. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FGA40N65SMD. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 650V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 16 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 120ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 6V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 174W. Maksimal kollektorstrøm (A): 60.4k Ohms. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

C (i): 2915pF. Omkostninger): 270pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 47ms. Kollektorstrøm: 60.4k Ohms. Ic (puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 600W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 104 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: Field Stop IGBT . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.9V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 650V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Solar Inverter, UPS, Svejsestation, PFC, Telecom, ESS. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

C (i): 940pF. Omkostninger): 110pF. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 40A. Ic (puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Mærkning på kabinettet: FGB20N60SF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 208W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 90 ns. Td(on): 12 ns. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2-PAK. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4 v. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 2. Funktion: solcelle-inverter, UPS, svejsemaskine, PFC. bemærk: N-kanal MOS IGBT transistor. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

C (i): 2110pF. Omkostninger): 200pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 45 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorstrøm: 80A. Ic (puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Mærkning på kabinettet: FGH40N60SFD. Pd (Strømafledning, maks.) ): 290W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 115 ns. Td(on): 25 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.9V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4 v. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 30. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

C (i): 1880pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 70 ns. Kollektorstrøm: 80A. Ic (puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 349W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 92 ns. Td(on): 12 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.9V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 30. Funktion: Solar Inverter, UPS, Svejsestation, PFC, Telecom, ESS. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

C (i): 2110pF. Omkostninger): 200pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 45 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorstrøm: 80A. Ic (puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 290W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 112 ns. Td(on): 24 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4 v. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 30. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

C (i): 2820pF. Omkostninger): 350pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 47 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorstrøm: 60.4k Ohms. Ic (puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Mærkning på kabinettet: FGH60N60SFD. Pd (Strømafledning, maks.) ): 378W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 134 ns. Td(on): 22 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.9V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4 v. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 30. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

C (i): 2820pF. Omkostninger): 350pF. Kanaltype: N. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorstrøm: 60.4k Ohms. Ic (puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Mærkning på kabinettet: FGH60N60SF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 378W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 134 ns. Td(on): 22 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.9V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4 v. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 30. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

C (i): 2915pF. Omkostninger): 270pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 30 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorstrøm: 60.4k Ohms. Ic (puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Mærkning på kabinettet: FGH60N60SMD. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 18 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.9V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 30. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor med indbygget højhastigheds friløbsdiode. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-264. Hus (JEDEC-standard): plastrør. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FGL40N120AND. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 1.2 kV. Indkoblingstid ton [nsec.]: 15 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 110 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 5.5V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 500W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 110 ns. Td(on): 20 ns. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264-3L. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.9V...3.15V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Port/emitter spænding VGE: 25V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 7.5V. Maksimal kollektorstrøm (A): 160A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændingsfarveskærm vandret afbøjning . Max hFE-forstærkning: 8:1. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 20A. Mærkning på kabinettet: J6810. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. bemærk: skærmtrykt. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 10. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 20A. Mærkning på kabinettet: J6810A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tf (type): 0.2us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1550V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. Vebo: 6V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Højhastighedsskift. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: High V Color Display Hor Defl (med dæmperdiode) . Max hFE-forstærkning: 8:1. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 20A. Mærkning på kabinettet: J6810D. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. bemærk: screentrykt J6810. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diode: ja

Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændingsfarveskærm vandret afbøjning . Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 12A. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: J6812. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. bemærk: screentrykt J6812. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diode: ja

Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Kollektorstrøm: 17A. Mærkning på kabinettet: J4315O. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. vcbo: 250V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) FJL4215-O

Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 20A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 750V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: 19 tommer skærm. Spec info: VEBO 6V

Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændingsfarveskærm vandret afbøjning . Max hFE-forstærkning: 8.5. Minimum hFE-forstærkning: 5.5. Kollektorstrøm: 20A. Ic (puls): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.15us. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 25

Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 100mA. Ic (puls): 300mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

Omkostninger): 110pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 60. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: J13007. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 110pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 28. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: J13007-1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 110pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 39. Minimum hFE-forstærkning: 26. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: J13007-2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS