Transistorer

Omkostninger): 180pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 17. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Kollektorstrøm: 12A. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: J13009. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 180pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 28. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 12A. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: J13009-2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 619. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 165 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

Halvledermateriale: silicium . FT: 190 MHz. Funktion: Skiftende transistor. Max hFE-forstærkning: 480. Minimum hFE-forstærkning: 60. Kollektorstrøm: 1.5A. Ic (puls): 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: komplementær transistor (par) FMMT619. Spec info: serigrafi/SMD-kode 720

Kanaltype: N-P. Funktion: Y4. Mærkning på kabinettet: Y4. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus (i henhold til datablad): SMT5. Mængde pr tilfælde: 2

Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 5000. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) FP1016. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 2A. Ic (puls): 5A. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Hus (i henhold til datablad): SANYO--PCP4. Type transistor: PNP. vcbo: 30 v. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Antal terminaler: 7. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: 2SB1121 og SB05-05CP integreret i ét etui

Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 65 MHz. Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 5000. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) FN1016. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diode: ja

Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 3A. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): PCP4. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 6. Spec info: Transistor + diode block. CE-diode: ja

C (i): 1.45pF. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 39A. Ic (puls): 50A. Ic(T=100°C): 25A. Dimensioner: 56.7x48x12mm. Pd (Strømafledning, maks.) ): 175W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 0.46 ns. Td(on): 0.08 ns. Teknologi: IGBT Hybrid modul. Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): Andre. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.85V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.2V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Antal terminaler: 33dB. bemærk: 7x IGBT+ CE Diode. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

C (i): 2150pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 730 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: FQA10N80C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 240W. On-resistance Rds On: 0.93 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 90 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. Funktion: Hurtigt skifte, lav portopladning (typisk 44nC). GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3PN. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FQA11N90C. Drain-source spænding Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 130 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 270 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 300W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3PN. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FQA11N90C_F109. Drain-source spænding Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 130 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 270 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 300W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3PN. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FQA 11N90. Drain-source spænding Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 140 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 340 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 300W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 1580pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 218W. On-resistance Rds On: 0.43 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 130 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: DMOS teknologi. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtigt skifte, lav portopladning (typisk 43nC). GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3PN. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FQA13N80. Drain-source spænding Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 130 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 320 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 300W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 155 ns. Td(on): 60 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Hus (JEDEC-standard): 1

C (i): 2800pF. Omkostninger): 350pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 74A. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 150 ns. Td(on): 65 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtigt skifte, lav portopladning (typisk 44nC). GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 3500pF. Omkostninger): 520pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 290W. On-resistance Rds On: 0.156 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 200 ns. Td(on): 80 ns. Teknologi: DMOS teknologi. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtigt skifte, lav portopladning (typisk 90nC). GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 4200pF. Omkostninger): 550pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 470 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 94A. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 310W. On-resistance Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 200 ns. Td(on): 90 ns. Teknologi: DMOS teknologi. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtigt skifte, lav portopladning (typisk 90nC). GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1250pF. Omkostninger): 260pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 227W. On-resistance Rds On: 0.067 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: DMOS teknologi. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 150V. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtigt skifte, lav portopladning (typisk 40nC). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 2550pF. Omkostninger): 710pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 198 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 144A. ID (T=100°C): 25.5A. ID (T=25°C): 36A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 294W. On-resistance Rds On: 0.076 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 155 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: DMOS teknologi. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 150V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. Spec info: Lav portladning (typisk 81nC). GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 4830pF. Omkostninger): 945pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 340 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 248A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 298W. On-resistance Rds On: 0.029 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 245 ns. Td(on): 75 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 250V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtigt skifte, lav portopladning (typisk 44nC). GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 2500pF. Omkostninger): 720pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 280A. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 214W. On-resistance Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 130 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: DMOS teknologi. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. Spec info: Lav portladning (typisk 85nC). GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 2100pF. Omkostninger): 175pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: FQA9N90C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. On-resistance Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: ja . Vægt: 4.7g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtigt skifte, lav portopladning (typisk 44nC). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: ITO-3P. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FQAF11N90C. Drain-source spænding Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 130 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 270 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 120W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. On-resistance Rds On: 0.91 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 130 ns. Td(on): 60 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Hus (JEDEC-standard): 30. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)